[发明专利]一种平板型X射线图像传感器

说明书

技术领域

本发明涉及传感器技术领域，尤其涉及一种平板型X射线图像传感器。

背景技术

完成图像信息光电变换的功能器件称为光电图像传感器，平板型X射线图像传感器为一种光电图像传感器，常用于医疗领域。例如，X射线穿过人体后被平板型X射线图像传感器探测，并将X射线的强度分布以不同的灰阶形式在显示器中显示出来，这样可以较为直观地看到人体经过X射线检测的结果。平板型X射线图像传感器的基板上的薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT），常常会发生静电损伤现象，静电损伤一般发生在X射线图像传感器的制作过程中，一旦发生静电放电，很容易损伤TFT器件。因为，TFT形成于绝缘衬底玻璃基板上，TFT电极上的电荷容易积累到更高的电压水平，当电极上的静电电荷积累到一定程度时，分离TFT的源电极、漏电极，和栅电极的绝缘薄膜层就有可能被击穿，导致源电极、栅电极、漏电极之间发生短路，即使源电极和栅电极之间的绝缘薄膜层没有被击穿，也会导致源电极和栅电极存在电压差异，使得TFT的工作特性发生改变。

目前，针对没有保护像素的平板型X射线图像传感器，若静电不太严重时，静电电流会将像素阵列的TFT击穿，使得连接TFT源极的数据线和连接TFT栅极的扫描线短路。若静电比较严重时，会造成数据线与其两侧的公共电极线短路，或者导致该公共电极线被烧断，使得与该公共电极线相连的部分TFT器件因没有公共电压而无法正常工作。而且，当有TFT被损坏时，需要用激光器将TFT和数据线隔离开，像素阵列上TFT和数据线的距离较近，约8                                                ，激光器很容易将数据线打断，造成某根数据线的损坏。

现有技术，通过在数据线和公共电极线之间设置有短路环结构，当数据线上有由静电导致的大电流通过时，短路环结构使数据线上聚集的电荷得以释放，避免出现静电击穿现象，从而保护数据线及第一薄膜晶体管不会被破坏。但是，所述短路环结构是设置在像素区域，不仅降低了像素的开口率，其制作工艺也比较复杂，甚至难以控制。并且，现有技术在一个像素区域不止设置有一个短路环结构，导致像素的噪音较大，漏电流也较大。

发明内容

本发明实施例提供了一种平板型X射线图像传感器，用以解决当数据线上有由静电导致的大电流通过时，出现静电击穿现象，导致数据线和位于数据线两侧的公共电极线短路的问题。

本发明实施例提供的平板型X射线图像传感器，包括：

形成在基板上的像素阵列和位于所述像素阵列外围的公共电极总线，所述像素阵列包括多根数据线、与所述多根数据线交叉的扫描线以及位于所述扫描线和数据线所围区域的像素单元，

所述像素阵列还包括至少一行保护像素；

每一保护像素包括公共电极，该公共电极通过导电层和所述公共电极总线电连接。

本发明实施例，通过在像素阵列上设置至少一行保护像素，并且，每一保护像素包括公共电极，该公共电极通过导电层和位于像素阵列外围区域的公共电极总线电连接。当数据线上有由静电导致的大电流通过，数据线和所述公共电极短路时，大电流会通过与公共电极总线相连的导电层将大电流瞬间导走，或者将所述保护像素损坏，不会将像素阵列中数据线和位于数据线两侧的公共电极线短路。

 

附图说明

图1为本发明实施例提供的平板型X射线图像传感器截面示意图；

图2为本发明实施例提供的平板型X射线图像传感器侧面示意图；

图3为本发明实施例提供的平板型X射线图像传感器俯视图； 

图4为本发明实施例提供的保护像素的结构示意图；

图5为本发明实施例提供的平板型X射线图像传感器俯视图；

图6为本发明实施例提供的平板型X射线图像传感器俯视图；

图7为本发明实施例提供的平板型X射线图像传感器俯视图；

图8为本发明实施例提供的平板型X射线图像传感器的像素阵列示意图；

图9为本发明实施例提供的平板型X射线图像传感器的像素单元结构示意图。

 

具体实施方式