[发明专利]一种平板型X射线图像传感器有效
| 申请号： | 201110417383.9 | 申请日： | 2011-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103165629A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 郑朋卫 | 申请（专利权）人： | 上海天马微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N5/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201201 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 平板 射线 图像传感器 | ||
1.一种平板型X射线图像传感器，包括形成在基板上的像素阵列和位于所述像素阵列外围的公共电极总线，所述像素阵列包括多根数据线、与所述多根数据线交叉的扫描线以及位于所述扫描线和数据线所围区域的像素单元，其特征在于：
所述像素阵列包括至少一行保护像素；
每一保护像素包括公共电极，该公共电极通过导电层和所述公共电极总线电连接。
2.根据权利要求1所述的平板型X射线图像传感器，其特征在于，每一保护像素还包括薄膜晶体管TFT；
每一保护像素的TFT的源电极和所述数据线相连；
每一保护像素的TFT的漏电极和存储电容相连；
每一保护像素的TFT的栅电极浮接。
3.根据权利要求2所述的平板型X射线图像传感器，其特征在于，每一根数据线与两个保护像素的TFT的源电极相连。
4.根据权利要求1所述的平板型X射线图像传感器，其特征在于，所述保护像素为所述像素阵列最外侧的像素。
5.根据权利要求1所述的平板型X射线图像传感器，其特征在于，所述像素阵列还包括至少一列保护像素。
6.根据权利要求1所述的平板型X射线图像传感器，其特征在于，所述像素阵列中的相邻的两列像素共用一根数据线，并且所述像素阵列中的每一行像素共用两根扫描线。
7.根据权利要求1所述的平板型X射线图像传感器，其特征在于，所述像素阵列的每一列像素共用一根数据线，并且所述像素阵列的每一行像素共用一根扫描线。
8.根据权利要求1所述的平板型X射线图像传感器，其特征在于，所述像素单元还包括光敏传感器。
9.根据权利要求8所述的平板型X射线图像传感器，其特征在于，所述光敏传感器的结构为叠层结构。
10.根据权利要求1所述的平板型X射线图像传感器，其特征在于，所述像素阵列中的非保护像素的公共电极，通过公共电极线与所述公共电极总线电连接。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
