[发明专利]一种大功率MOSFET驱动方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种大功率MOSFET驱动方法，属于电流控制和电压变频检测领域。

背景技术

当前，大功率MOSFET应用具有一定特殊性，尤其是高电压场合，其控制既可以做为类继电器式作，也可以做为恒流充电闭环控制核心，通常，大功率MOSFET的驱动电压在弱电电压负10到正30V以内。其正向电压是打开大功率MOSFET管，反向加负压主要为了可靠关断，由于其设计特殊性，同时，大功率MOSFET种类繁多，因此需要一个通用的驱动方法，来驱动大功率MOSFET管可靠工作。

发明内容

本发明涉及一种大功率MOSFET驱动方法，以实现对各类大功率MOSFET的可靠驱动。

为实现上述的目的，本发明采用如下技术方案：TTL式的 MOSFET驱动信号，经过低压电压和限流电阻R1，然后经光电隔离器U1的输入单元，实现输入信号的隔离，输出信号经过正电源，再经输出限流电阻R2，再经光电隔离器U1的输出单元，接入负地，这里的正负电源是一个专用的经隔离的电源，经隔离输的信号再通过限流电阻R3，输入到比较器U2的负端，注意，比较器U2的正端经电阻R3接到地，信号经比较后，再经限流电阻R5，输入到对管驱动器Q1和Q2的基极上，Q1与Q2的射极输出相联，然后经限流保护电阻R6，再驱动大功率MOSFET，注意，大功率MOSFET的输出与驱动电路的地相接，形成驱动电流回路。

本发明具有驱动能力大，电气完全隔离，可驱动一个或是数十个到百个大功率MOSFET同时并联工作，性能稳定可靠，尤其是在精密大电流闭环场合，更能发挥其控制优势。

附图说明：

附图1是本发明的电路工作原图

具体实施方式：

为了使本发明的技术方案更加清楚明白，以下结合附图和实施例，对本发明进一步详细说明，此处所描述的具体实例，仅仅用以解释本发明，并不用于限制本发明。

实施例：

请参阅附图1所示，TTL式的 MOSFET驱动信号，经过低压电压和限流电阻R1，然后经光电隔离器U1的输入单元，实现输入信号的隔离，输出信号经过正电源，再经输出限流电阻R2，再经光电隔离器U1的输出单元，接入负地，这里的正负电源是一个专用的经隔离的电源，经隔离输的信号再通过限流电阻R3，输入到比较器U2的负端，注意，比较器U2的正端经电阻R3接到地，信号经比较后，再经限流电阻R5，输入到对管驱动器Q1和Q2的基极上，Q1与Q2的射极输出相联，然后经限流保护电阻R6，再驱动大功率MOSFET，注意，大功率MOSFET的输出与驱动电路的地相接，形成驱动电流回路。对于输入的TTL式的 MOSFET驱动信号，可以是电位方式的，主要控制于大电流开关，也可以是积分形式的信号，当为积分信号时，这时光电隔离管一般选择高灵敏度的器件，以对积分信号做出快速准确匹配的响应。