[发明专利]一种大功率MOSFET驱动方法

权利要求书

1.本发明涉及一种大功率MOSFET驱动方法，具有以下特征：TTL式的 MOSFET驱动信号，经过低压电压和限流电阻R1，然后经光电隔离器U1的输入单元，实现输入信号的隔离，输出信号经过正电源，再经输出限流电阻R2，再经光电隔离器U1的输出单元，接入负地，这里的正负电源是一个专用的经隔离的电源，经隔离输出的信号再通过限流电阻R3，输入到比较器U2的负端，注意，比较器U2的正端经电阻R3接到地，信号经比较后，再经限流电阻R5，输入到对管驱动器Q1和Q2的基极上，Q1与Q2的射极输出相联，然后经限流保护电阻R6，再驱动大功率MOSFET，注意，大功率MOSFET的输出与驱动电路的地相接，形成驱动电流回路。

2.根据权利要求1所述的一种大功率MOSFET驱动方法，其特征在于：具有光电隔离器U1，实现输入信号的隔离。

3.根据权利要求1所述的一种大功率MOSFET驱动方法，其特征在于：具有一个比较器U2，它可以是专用比较器，也可以是由运放构成的比较器。

4.根据权利要求1所述的一种大功率MOSFET驱动方法，其特征在于：具有对管驱动器Q1和Q2，用于扩大输出能力。

5.根据权利要求1所述的一种大功率MOSFET驱动方法，其特征在于：大功率MOSFET的输出与驱动电路的地相接，形成驱动电流回路。