[发明专利]检测编程操作对临近存储单元干扰的方法

说明书

技术领域

本发明涉及存储器信息存储领域，特别是涉及检测存储阵列编程操作对临近存储单元干扰的方法。 

背景技术

整个闪存存储器的核心是闪存存储单元构成的阵列，参见图1，闪存存储单元以普通MOS管为例，每个存储单元(cell)有三个端口，其中一个是控制端口，相当于普通MOS管的栅极，其余两个端口相当于普通MOS管的源极和漏极。存储单元的控制端口连接字线，并且阵列中同一行存储单元的控制端口连接同一字线WL1，字线电位高低实现对存储单元的开启和关断。存储阵列中同一行存储单元的源极和漏极顺次首尾相连，相邻的两个存储单元的源极和漏极连接在一根位线上。通常对存储单元进行编程(包括写入、擦除等)时，以对图1中存储单元cell2编程为例，字线WL1电平为高后存储单元cell2开启，位线选通装置选通存储单元cell2源极和漏极相连接的两根位线BLa和BLa+1，编程电流提供装置为位线BLa施加编程所需的低电压，编程电压提供装置为位线BLa+1施加编程所需的高电压，存储单元cell2两端存在电势差。在编程电流I的作用下，由于闪存存储单元沟道热电子效应(CHE)，电荷注入存储单元cell2的存储层完成存储单元的编程操作。 

目前，对存储单元cell2进行编程操作时，只关注这个存储单元的编程情况，不考虑其周围存储单元(例如cell0、cell1、cell3、cell4)在此编程操作过程中是否受到影响。在对存储单元cell1进行编程操作之前的若干周期过程中，与存储单元cell2施加低电压的位线BLa相邻的位线BLa-1可能曾被施加过信号，会有残留电荷留在位线BLa-1上。当进行存储单元cell2编程操作时，由于位线BLa施加低电压，存储单元cell1两端产生电势差，从而形成流经存储单元cell1的泄露电流，而字线WL1在编程过程中置于高电平使存储单元开启，编程操作时，字线WL1的电位较高，泄露电流较大时将会使电荷进入存储单元cell1的存储层，对存储单元cell1原有的存储信息产生干扰，可能使 存储单元cell1原有的存储信息被改写。 

发明内容

本发明解决了检测存储阵列编程操作时对临近单元是否造成干扰的问题。 

为达到上述目的，本发明提供了一种检测存储阵列编程操作对临近存储单元干扰的方法，包括： 

选通被编程存储单元的字线；选通存储阵列的多根连续位线，其中，在所述被编程存储单元的一根位线施加第一编程电压，另一根位线施加第二编程电压，所述第二编程电压高于所述第一编程电压；在检测过程中每根位线只施加一次电压； 

测量与所述被编程存储单元的位线相邻的两根连续位线之间的电压； 

根据所述两根连续位线之间的电压计算流过所述两根连续位线连接的存储单元的泄露电流； 

判断所述泄露电流是否大于预设电流值，如果是，与所述被编程存储单元临近的存储单元中存储信息受到所述泄露电流干扰；如果否，与所述被编程存储单元临近的存储单元中存储信息不受所述泄露电流干扰。 

与现有技术相比，本发明具有下列优点： 

本发明还提供了检测存储阵列编程操作对临近存储单元干扰的方法，同时选通多根连续位线，在编程存储单元的同时，测量与被编程存储单元的位线相邻的连续两根位线的电压，计算流过所述两根连续位线连接的存储单元的泄露电流，通过判断所述泄露电流是否大于预设电流值，可以检测与被编程存储单元临近的存储单元中原有的信息是否受到泄露电流的干扰。 

另外，如果测量与被编程存储单元的施加低电压的位线相邻的连续两根位线的电压，计算流过所述两根连续位线连接的存储单元的泄露电流，通过判断所述泄露电流的大小，可以检测被编程存储单元的编程速度和精度是否受到泄露电流的干扰。 

附图说明

通过附图所示，本发明的上述及其它目的、特征和优势将更加清晰。在 全部附图中相同的附图标记指示相同的部分。并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。 

图1为存储阵列单元编程操作时的装置连接示意图； 

图2为本发明的检测存储阵列编程操作对临近存储单元干扰的方法测流程图； 

图3为本发明的第一实施例的方法检测时装置连接示意图； 

图4为本发明的第一实施例的方法带有电压跟随装置的连接示意图； 

图5为第一实施例的电压跟随装置的电路示意图； 

图6为高精度电压测试装置的示意图； 

图7为本发明的第一实施例的方法检测时装置连接示意图；