[发明专利]检测编程操作对临近存储单元干扰的方法

权利要求书

1.一种检测编程操作对临近存储单元干扰的方法，其特征在于，包括：

选通被编程存储单元的字线；选通存储阵列的多根连续位线，其中，在所述被编程存储单元的一根位线施加第一编程电压，另一根位线施加第二编程电压，所述第二编程电压高于所述第一编程电压；在检测过程中每根位线只能施加一次电压；

测量与所述被编程存储单元的位线相邻的两根连续位线之间的电压；

根据所述两根连续位线之间的电压计算流过所述两根连续位线连接的存储单元的泄露电流；

判断所述泄露电流是否大于预设电流值，如果是，与所述被编程存储单元临近的存储单元中存储信息受到所述泄露电流干扰；如果否，与所述被编程存储单元临近的存储单元中存储信息不受所述泄露电流干扰。

2.根据权利要求1所述的检测编程操作对临近存储单元干扰的方法，其特征在于，测量与所述被编程存储单元施加第一编程电压的位线相邻的两根连续位线之间的电压。

3.根据权利要求2所述的检测编程操作对临近存储单元干扰的方法，其特征在于，选通存储阵列的至少五根连续位线，所述至少五根连续位线中，与所述被编程存储单元施加第二编程电压的位线相邻的至少一根连续位线施加与所述第二编程电压相等的电压。

4.根据权利要求3所述的检测编程操作对临近存储单元干扰的方法，其特征在于，所述与所述被编程存储单元施加高电压的位线相邻的至少一根连续位线施加与所述第二编程电压相等的电压为：

所述第二编程电压从运算放大器的同相输入端输入，经过运算放大器运算后为连接在运算放大器的输出端的位线施加与所述第二编程电压相等的电压，所述运算放大器的反相输入端连接在输出端。

5.根据权利要求1所述的检测编程操作对临近存储单元干扰的方法，其特征在于，测量与所述被编程存储单元施加第二编程电压的位线相邻的两根连续位线之间的电压。

6.根据权利要求1至5任一项所述的检测编程操作对临近存储单元干扰的方法，其特征在于，所述测量与所述被编程存储单元的位线相邻的两根连续位线之间的电压包括：

采集所述两根连续位线之间的电压后，顺序进行下列各步骤；

所述两根连续位线之间的电压经过前置放大电路进行差模方式放大获得放大电压信号；

所述放大电压信号值经过高通滤波电路和低通滤波电路去除噪声干扰；

去除噪声干扰后的放大电压信号经过主放大电路和50Hz陷波电路转换幅度。

7.根据权利要求1至5任一项所述的检测编程操作对临近存储单元干扰的方法，其特征在于，所述选通存储阵列的多根连续位线为：

多个选通控制信号控制多个MOS晶体管导通，其中，一个选通控制信号控制一个MOS晶体管的源极和漏极导通，使连接在一个MOS晶体管的源极的位线施加连接在漏极的所述第一编程电压或第二编程电压。

8.根据权利要求1至5任一项所述的检测编程操作对临近存储单元干扰的方法，其特征在于，编程电流提供装置为所述被编程存储单元的一根位线施加第一编程电压。

9.根据权利要求1至5任一项所述的检测编程操作对临近存储单元干扰的方法，其特征在于，编程电压提供装置为所述被编程存储单元的另一根位线施加第二编程电压。