[发明专利]一种存储阵列单元信息读取方法及系统

权利要求书

1.一种存储阵列单元信息读取方法，其特征在于，包括：

选通被读取存储单元的字线；选通存储阵列的多根连续位线，其中

在所述被读取存储单元的一根位线施加第一读取电压，在至少两根连续位线施加第二读取电压，其中包括被读取存储单元的另一根位线，所述第二读取电压高于第一读取电压；与施加所述第二读取电压的位线相邻的位线同时施加与所述第二读取电压相等的电压；在一个读取过程中每根位线只能施加一次电压；

比较被读取存储单元上产生的电流与预设参考电流值确定所述被读取存储单元的存储信息。

2.根据权利要求1所述的存储阵列单元信息读取方法，其特征在于，所述与施加所述第二读取电压的位线相邻的位线同时施加与所述第二读取电压相等的电压为：

控制源极接电源的MOS晶体管的源极和漏极导通为所述位线施加源极电压，所述电源的电压与所述第二读取电压相等。

3.根据权利要求1或2所述的存储阵列单元信息读取方法，其特征在于，所述选通存储阵列的多根连续位线为：

多个选通控制信号控制多个MOS晶体管导通，其中，一个选通控制信号控制一个MOS晶体管的源极和漏极导通，使连接在一个MOS晶体管的源极的位线施加连接在漏极的所述第一读取电压或第二读取电压。

4.根据权利要求1或2所述的存储阵列单元信息读取方法，其特征在于，所述在所述被读取存储单元的一根位线施加第一读取电压为：

控制源极接地的MOS晶体管的源极和漏极导通为所述位线施加第一读取电压。

5.根据权利要求1或2所述的存储阵列单元信息读取方法，其特征在于，所述在多根连续位线施加第二读取电压为：

电源电压经过包括2个PMOS晶体管的电流镜的一支后被电压钳位电路钳位为所述第二读取电压，并将所述第二读取电压施加在所述多根连续位线。

6.根据权利要求5所述的存储阵列单元信息读取方法，其特征在于，所述比较被读取存储单元上产生的电流与预设参考电流值确定所述被读取存储单元的存储信息为：

读取在被读取存储单元施加第二读取电压的位线的电流，包括：

被读取存储单元上产生的电流在所述电流镜的另一支产生镜像电流；

所述镜像电流与所述预设参考电流值进行比较，经过包含反相器的判决电路判决得到所述被读取存储单元的存储信息。

7.根据权利要求1或2所述的存储阵列单元信息读取方法，其特征在于，在两根根连续位线施加所述第二读取电压。

8.根据权利要求1或2所述的存储阵列单元信息读取方法，其特征在于，在与所述被读取存储单元施加第一读取电压的位线相邻的位线施加所述第一读取电压。

9.一种存储阵列单元信息读取系统，其特征在于，包括存储单元阵列、至少一个低电平产生电路、电流读取电路、位线选通装置、字线选通装置和电压源提供电路，

所述电压源提供电路与所述电流读取电路提供相同的电压，高于所述低电平产生电路提供的电压；所述低电平产生电路、电流读取电路与电压源提供电路同步工作；

所述字线选通装置选通被读取存储单元的字线；所述位线选通装置根据位线选通控制信号同时选通所述存储阵列的多根连续位线；

一个所述低电平产生电路通过位线选通装置与被读取存储阵列单元的一根位线连接；所述电流读取电路通过位线选通装置与多根位线连接，其中包括被读取存储阵列单元的另一根位线；电压源提供电路通过位线选通装置与连接电流读取电路的位线相邻的位线连接。

10.根据权利要求9所述的存储阵列单元信息读取系统，其特征在于，所述电压源提供电路包括一个MOS晶体管，

所述MOS晶体管源级接电源，漏极通过位线选通装置连接位线，栅极接控制端，所述电源的电压与所述第二读取电压相等。

11.根据权利要求10所述的存储阵列单元信息读取系统，其特征在于，所述存储阵列单元信息读取系统包括两个低电平产生电路，其中，

第一低电平产生电路通过所述位线选通装置与被读取存储单元的一根位线连接，第二低电平产生电路通过所述位线选通装置与被读取存储单元连接第一低电平产生电路的位线相邻的位线连接。