[发明专利]非易失性存储器件及其读取方法有效

专利信息
申请号: 201110380017.0 申请日: 2011-11-25
公开(公告)号: CN102479551A 公开(公告)日: 2012-05-30
发明(设计)人: 李知尚;崔奇焕 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C16/26 分类号: G11C16/26
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 钱大勇
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 非易失性存储器 及其 读取 方法
【权利要求书】:

1.一种用于读取非易失性存储单元阵列中的存储单元的方法,所述方法包括:

接收读取在与第一字线相关联的第一存储单元中所存储的数据的请求;

响应于该请求,对与第二字线相关联的至少一个存储单元执行第一读取操作,所述第二字线按照字线编程顺序跟在第一字线之后,并且在第一时间段执行第一读取操作;

基于来自第一读取操作的输出对第一存储单元执行第二读取操作,执行第二读取操作一第二时间段,第一时间段和第二时间段是不同的。

2.如权利要求1所述的方法,其中,第一时间段短于第二时间段。

3.如权利要求2所述的方法,其中,在第一读取操作期间的读出操作的持续时间小于在第二读取操作期间的读出操作的持续时间。

4.如权利要求1所述的方法,其中,

执行第一读取操作读取与第二字线相关联的标志存储单元,如果与第二字线相关联的至少一个存储单元被编程则所述标志单元被编程;以及

如果来自第一读取操作的输出指示没有与第二字线相关联的存储单元被编程,则执行第二读取操作利用第一组读取电压来读取第一存储单元。

5.如权利要求4所述的方法,进一步包括:

如果来自第一读取操作的输出指示与第二字线相关联的至少一个存储单元已经被编程,则对与第一存储单元相对应的第二字线的存储单元执行第三读取操作;以及其中

第二读取操作基于相应存储单元的编程状态读取第一存储单元。

6.如权利要求5所述的方法,其中,第二读取操作基于相应存储单元的编程状态,利用第一组读取电压和第二组读取电压之一读取第一存储单元,第二组读取电压的每一个高于第一组读取电压中的相应电压。

7.如权利要求6所述的方法,其中,如果相应存储单元的编程状态指示第一存储单元不被耦合到相应存储单元,则第二读取操作利用第一组读取电压读取第一存储单元,而如果相应存储单元的编程状态指示第一存储单元被耦合到相应存储单元,则第二读取操作利用第二组读取电压读取第一存储单元。

8.如权利要求1所述的方法,其中,执行第一读取操作读取与第一存储单元相对应的第二字线的存储单元。

9.如权利要求8所述的方法,其中,第二读取操作基于相应存储单元的状态,利用第一组读取电压和第二组读取电压之一读取第一存储单元,第二组读取电压的每一个高于第一组读取电压中的相应电压。

10.如权利要求9所述的方法,其中,

如果以下之一则第二读取操作利用第一组读取电压读取第一存储单元:(1)相应存储单元处于擦除状态,和(2)相应存储单元的编程状态指示第一存储单元没有被耦合到相应存储单元;以及

如果相应存储单元的编程状态指示第一存储单元被耦合到相应存储单元,则第二读取操作利用第二组读取电压读取第一存储单元。

11.一种用于读取在非易失性存储单元阵列中的存储单元的方法,所述方法包括:

接收读取在与第一字线相关联的第一存储单元中所存储的数据的请求;

确定与第二字线相关联的至少一个存储单元是否已经被编程,所述第二字线按照字线编程顺序跟在第一字线之后;

如果确定步骤确定与第二字线相关联的至少一个存储单元已经被编程,则对与第一存储单元相对应的第二字线的存储单元执行第一读取操作,在第一时间段执行第一读取操作;

基于以下中的至少之一对第一存储单元执行第二读取操作:(1)确定步骤是否确定与第二字线相关联的至少一个存储单元已经被编程,和(2)来自第一读取操作的输出,

执行第二读取操作一与第一时间段不同的第二时间段。

12.如权利要求11所述的方法,其中,所述确定步骤包括:

读取与第二字线相关联的标志存储单元,如果与第二字线相关联的至少一个存储单元被编程则标志存储单元被编程。

13.如权利要求11所述的方法,其中,所述确定步骤包括:

访问映射,所述映射指示哪个字线已经具有至少一个存储单元被编程。

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