[发明专利]钨生长控制设备及方法

权利要求书

1.一种钨生长控制设备，其特征在于包括：WF₆的气体流量控制器、SiH₄的气体流量控制器以及检测控制仪器；其中WF₆的气体流量控制器控制WF₆气体的流量，SiH₄的气体流量控制器控制SiH₄气体的流量；检测控制仪器检测WF₆的气体流量控制器的反应时间以及SiH₄的气体流量控制器的反应时间，并且根据检测结果控制气体进入腔室时间。

2.根据权利要求1所述的钨生长控制设备，其特征在于，对于SiH₄的气体流量控制器的反应时间大于WF₆的气体流量控制器的反应时间的情况，检测控制仪器执行控制使得在开放WF₆气体流之前，让SiH₄先流一段时间；对于SiH₄的气体流量控制器的反应时间小于WF₆的气体流量控制器的反应时间的情况，检测控制仪器执行控制使得在开放SiH₄气体流之前，让WF₆先流一段时间。

3.根据权利要求1或2所述的钨生长控制设备，其特征在于，所述钨生长控制设备利用从SiH₄的气体流量控制器开启到SiH₄气体流量达到设定流量的预定比例的时间段来表示SiH₄的气体流量控制器的反应时间，并且利用从WF₆的气体流量控制器开启到WF₆气体流量达到设定流量的预定比例的时间段来表示WF₆的气体流量控制器的反应时间。

4.根据权利要求3所述的钨生长控制设备，其特征在于，检测控制仪器对SiH₄的气体流量控制器的延迟时间和WF₆的气体流量控制器的延迟时间的差值进行实时监控；并且，如果该差值超过预定阈值，则检测控制仪器停止WF₆的气体流量控制器MFC1以及SiH₄的气体流量控制器MFC2的操作。

5.根据权利要求4所述的钨生长控制设备，其特征在于，所述预定阈值是0.2s或0.3s。

6.一种钨生长控制方法，其特征在于包括：

利用WF₆的气体流量控制器控制WF₆气体的流量；

利用SiH₄的气体流量控制器控制SiH₄气体的流量；

利用检测控制仪器检测WF₆的气体流量控制器的反应时间以及SiH₄的气体流量控制器的反应时间，并且根据检测结果控制气体进入腔室时间。

7.根据权利要求6所述的钨生长控制方法，其特征在于还包括：

对于SiH₄的气体流量控制器的反应时间大于WF₆的气体流量控制器的反应时间的情况，利用检测控制仪器执行控制使得在开放WF₆气体流之前，让SiH₄先流一段时间；

对于SiH₄的气体流量控制器的反应时间小于WF₆的气体流量控制器的反应时间的情况，利用检测控制仪器执行控制使得在开放SiH₄气体流之前，让WF₆先流一段时间。

8.根据权利要求6或7所述的钨生长控制方法，其特征在于还包括：将从SiH₄的气体流量控制器开启到SiH₄气体流量达到设定流量的预定比例的时间段来表示SiH₄的气体流量控制器的反应时间，并且将利用从WF₆的气体流量控制器开启到WF₆气体流量达到设定流量的预定比例的时间段来表示WF₆的气体流量控制器的反应时间。