[发明专利]完成小线距的导线制作方法

说明书

【技术领域】

本发明是有关于一种光刻方法，特别是有关于一种完成小线距的导线制作方法。

【背景技术】

一般来说，在液晶面板的金属线路制作过程中，会于玻璃基板上透过溅镀形成一金属层，再涂布光阻于所述金属层上，光阻经过曝光显影工艺后形成图案化的光阻层，再透过蚀刻工艺移除未被光阻层覆盖的金属层部分，最后移除图案化的光阻层后即可形成所需的金属线路。

利用光刻技术可以对光阻曝光出不同线路图案，但当线路图案的线与线之间的线距(line-to-line space)较小时，光阻会因为光透过率较低的关系而没有获得足够曝光。经过显影工艺之后，如图1所示，原本应被去除的特定光阻部份仍有残留，而导致光阻层900的区块仍连接在一起，使得底下金属层910在光刻后无法形成所需线路图案。因此，线路图案的有效线距往往受限于曝光机的曝光精度。

然而，在特定的液晶显示装置的产品设计中，线路图案有时需要采用较小的线距，以提高产品的性能，例如，液晶的光穿透率。目前，液晶面板所采用的8.5代曝光机的最小曝光精度都受限于曝光机解析力(约3微米左右)，而无法制造线距小于曝光机解析力的产品。

故，有必要提供一种完成小线距的导线制作方法，以解决现有技术所存在的问题。

【发明内容】

有鉴于现有技术的缺点，本发明的主要目的在于提供一种完成小线距的导线制作方法，其在光罩曝光及显影工艺之后增加光阻的灰化步骤，以去除受限于曝光精度而未能在显影工艺中被完整去除的光阻。

为达成本发明的前述目的，本发明提供一种完成小线距的导线制作方法，导线制作方法包含下列步骤：

S1：提供一导体层；

S2：涂布一光阻层于所述导体层上；

S3：对所述光阻层进行曝光显影处理；

S4：对所述光阻层进行灰化处理，以去除对应曝光区域的残留光阻而图案化所述光阻层；以及

S5：对所述导体层进行蚀刻处理并去除所述图案化光阻层，以形成导线。

在本发明的一实施例中，步骤S3进一步包含下列步骤：

通过光罩对所述光阻层进行局部曝光；

以及对所述光阻层进行显影处理，以初步去除所述光阻层对应曝光区域的部份。

在本发明的一实施例中，所述光罩具有宽度小于曝光机解析力的隙缝。

在本发明的一实施例中，所述导体层为铟锡氧化层或是金属层。

在本发明的一实施例中，所述灰化处理是利用加热或激光照射的方式使光阻层碳化挥发以去除所述残留光阻。

本发明主要是在光罩曝光及显影工艺之后增加对光阻的灰化处理，以去除受限于曝光精度而未能在显影工艺中被完整去除的光阻，以在有限曝光精度的曝光显影设备下，于基板上制作出线距更小的导线。

【附图说明】

图1是现有液晶面板的金属线路制作过程中因曝光精度有限而导致显影后光阻残留的示意图。

图2A～2E是本发明完成小线距的导线制作方法一较佳实施例的制造示意图。

图3是本发明完成小线距的导线制作方法一较佳实施例的流程图。

【具体实施方式】

为让本发明上述目的、特征及优点更明显易懂，下文特举本发明较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下。再者，本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。

请参考图3并同时配合图2A～2E所示，其中图3是本发明完成小线距的导线制作方法一较佳实施例的流程图，图2A～2E是本发明完成小线距的导线制作方法一较佳实施例的流程示意图，本发明的完成小线距的导线制作方法包含有下列步骤：

S1：提供一导体层100；(如图2A所示)

S2：涂布一光阻层110于所述导体层100上；

S3：对所述光阻层110进行曝光显影处理，其中如图2A所示，所述步骤可通过一图案化的光罩2对所述光阻层110进行局部曝光；接着对所述光阻层110进行显影处理，以初步去除所述光阻层110对应曝光区域的部份；如图2B所示，当图2A的光罩2供光线穿过的细缝的宽度d小于曝光机解析力(例如3微米)时，显影后的光阻层110’对应曝光区域的位置将仍有光阻残留；