[发明专利]一种TFT-LED彩色阵列显示基板及其制造方法

权利要求书

1.一种TFT-LED彩色阵列显示基板，其特征在于：在衬底（1）上方依次为缓冲层（2），n型GaN层（3），三基色发光层（4），p型GaN层（5）和透明电极层（6）；n型GaN层（3）、三基色发光层（4）、p型GaN层（5）和透明电极层（6）共同组成显示单元，在显示单元上设有控制区（7），在显示单元之间设有引线区（8）；在控制区（7）内设有由电容器下极板（10），电容器上极板（12）及同处于它们之间的绝缘层（25）所构成的电容器；由工作TFT栅极（13）、工作TFT的沟道（17）、工作TFT源极（22）、工作TFT漏极（23）及绝缘层（25）组成的工作TFT；以及由控制TFT栅极（15）、控制TFT沟道（18）、控制TFT源极（19）和控制TFT漏极（21）及绝缘层（25）组成的控制TFT；在引线区（8）内设有n型GaN层接地引线（11），工作TFT源极引线（24），控制TFT源极引线（20）及控制TFT栅极引线（16）；电容器下极板（10）与n型GaN层（3）接触，n型GaN层接地引线（11）与电容器下极板（10）连接；电容器上极板（12）分别与工作TFT栅极（13）及控制TFT漏极（21）连接，工作TFT漏极（23）与透明电极层（6）连接，工作TFT的源极（22）与工作TFT源极引线（24）连接，控制TFT源极（19）与控制TFT源极引线（20）连接，控制TFT栅极（15）与控制TFT栅极引线（16）连接；绝缘层（25）处于各层金属电极和不同层引线之间，在控制区（7）及引线区（8）的顶部设有钝化保护层（26）。

2.根据权利要求1所述的TFT-LED彩色阵列显示基板,其特征在于：衬底（1）的材料为蓝宝石单晶衬底或SiC单晶衬底；n型半导体层（3）和p型半导体层（5）是由不同掺杂浓度的p型或n型GaN外延薄膜组成，其中n型半导体层掺入Si，p型半导体层掺入Mg或Zn；透明电极层（6）为原位生长的ITO或IZO。

3.根据权利要求1所述的TFT-LED彩色阵列显示基板，其特征在于：三基色发光层（4）是由红、绿、蓝三种厚度相同的发光层组成发光阵列，发光阵列的每个单元独立发光。

4.根据权利要求1所述的TFT-LED彩色阵列显示基板，其特征在于：电容器的下极板（10）、上极板（12）、工作TFT栅极（13）、工作TFT漏极（23）、工作TFT源极（22）、控制TFT栅极（15）、控制TFT漏极（21）、控制TFT源极（19）以及各种引线的材料为Mo、Au、Cu、Ag、Ni或Al中的一种或几种的搭配与组合，或者它们的合金，或者金属与合金的搭配与组合。

5.根据权利要求1，所述的TFT-LED彩色阵列显示基板，其特征在于：绝缘层（25）和钝化保护层（26）采用SiO_x、SiN_x或SiO_xN_y绝缘材料。

6.根据权利要求1所述的TFT-LED彩色阵列显示基板，其特征在于：工作TFT沟道（17）和控制TFT沟道（18）采用非晶硅、多晶硅或者单晶硅。