[发明专利]锗硅选择性外延生长预处理方法无效
| 申请号： | 201110366171.2 | 申请日： | 2011-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN102496574A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 张文广;郑春生;徐强;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/20 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 选择性 外延 生长 预处理 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种锗硅选择性外延生长预处理方法，包括如下步骤：
向反应腔体中的器件通入氢气等离子体；
所述器件上的自然氧化层与氢气等离子体进行化学反应后生成水汽挥发掉；
在所述器件的源/漏极区域进行锗硅选择性外延生长。
2.根据权利要求1所述的锗硅选择性外延生长预处理方法，其特征在于：所述氢气等离子体是由反应腔体外通入的。
3.根据权利要求2所述的锗硅选择性外延生长预处理方法，其特征在于：所述氢气等离子体的通入流量为100sccm至10000sccm，通入时间为20s至60s。
4.根据权利要求2所述的锗硅选择性外延生长预处理方法，其特征在于：所述反应腔体中的温度为150摄氏度至600摄氏度，压力为2托至10托。
5.根据权利要求1所述的锗硅选择性外延生长预处理方法，其特征在于：所述氢气等离子体是由反应腔体外通入原位氢气，并在反应腔体中进行原位等离子体工艺而产生的。
6.根据权利要求5所述的锗硅选择性外延生长预处理方法，其特征在于：所述原位氢气的通入流量为100sccm至10000sccm，通入时间为20s至60s。
7.根据权利要求5所述的锗硅选择性外延生长预处理方法，其特征在于：所述原位等离子体中的工作压力为2托至10托，反应温度为150摄氏度至600摄氏度，射频功率为50瓦至1000瓦。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
