[发明专利]有机TFT阵列基板及其制造方法和电子纸显示装置

权利要求书

1.一种有机薄膜晶体管阵列基板，包括：

衬底及在衬底上形成的阵列TFT单元；

其特征在于：在每个TFT沟道的上覆盖有保护层，保护层分为两层，其中紧靠沟道的第一层为不透光材料，第二层为硬度大于第一层材料硬度的材料。

2.根据权利1所述的有机薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：所属沟道保护层分为两层，其中紧靠沟道的第一保护层为不透光材料，第二层材料即可以是透光的，也可以不透光材料。

3.根据权利要求3所述的有机薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：所述第二层材料为SiNx或Ta₂O₅。

4.一种基于权利要求1所述有机薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、在衬底上形成栅电极和寻址线，公共电极线和存贮电容下电极；

步骤2、在完成步骤1的所述衬底上沉积绝缘层；

步骤3：在完成步骤2的所述衬底上依次沉积有序有机分子层，有机半导体层和金属层，然后采用HTM光罩，形成有机薄膜晶体管的源极和漏极以及导电沟道，同时形成和漏极一体化的像素电极；

步骤4：在完成步骤3的所述衬底上进行光刻工艺，露出栅电极表面；

步骤5：在完成步骤4的所述衬底上，涂覆第一层沟道保护层；

步骤6：在完成步骤5的所述衬底上，生长第二层沟道保护层；

步骤7：在完成步骤6的所述衬底上进行光刻工艺，露出像素电极部分和外部连接电极表面。

5.根据权利要求4所述的有机薄膜晶体管阵列基板制造方法，其特征在于：紧靠沟道的第一保护层采用低温涂覆方法形成，第二保护层采用气相沉积方法形成。

6.根据权利要求4所述的有机薄膜晶体管阵列基板制造方法，其特征在于：生长完绝缘层之后，在绝缘层表面通过分子气相沉积的方法形成一层有序有机分子层。

7.根据权利要求4所述的有机薄膜晶体管阵列基板制造方法，其特征在于：在有序有机分子层的表面用分子气相沉积的方法形成一层有机半导体薄膜。

8.根据权利要求4所述的有机薄膜晶体管阵列基板制造方法，其特征在于：第一保护层和第二保护层用一次光刻工艺形成，第二保护层通过去胶形成图案并露出像素电极。

9.一种有机薄膜晶体管阵列基板电子纸装置，其特征在于：包括与基于权利要求1所述的有机薄膜晶体管阵列基板对盒的电泳基板；所述电泳基板包括第二衬底，以及在所述第二衬底上涂覆的电泳粒子。