[发明专利]一种改善铜阻挡层与铜金属层的粘结性能的方法无效
| 申请号： | 201110355420.8 | 申请日： | 2011-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN102364672A | 公开（公告）日： | 2012-02-29 |
| 发明（设计）人： | 徐强;张文广;郑春生;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 阻挡 金属 粘结 性能 方法 | ||
1.一种改善铜阻挡层与铜金属层的粘结性能的方法，其特征在于，包括下 列步骤：
提供具有铜金属层的半导体基底；
在所述铜金属层上沉积第一介电质层；
在所述第一介电质层上沉积第二介电质层；
在所述第二介电质层上沉积低K值薄膜，
其中，所述第一介电质层为氮化硅薄膜，所述第二介电质层为碳化硅薄膜。
2.根据权利要求1所述的改善铜阻挡层与铜金属层的粘结性能的方法，其 特征在于，所述氮化硅薄膜的厚度为10埃～100埃。
3.根据权利要求1所述的改善铜阻挡层与铜金属层的粘结性能的方法，其 特征在于，所述碳化硅薄膜的厚度为100埃～500埃。
4.根据权利要求1所述的改善铜阻挡层与铜金属层的粘结性能的方法，其 特征在于，所述沉积氮化硅薄膜的处理温度为300摄氏度～500摄氏度，气压为 2Torr～8Torr。
5.根据权利要求1所述的改善铜阻挡层与铜金属层的粘结性能的方法，其 特征在于，所述沉积氮化硅薄膜步骤中，反应气体SiH4的流量为100sccm～ 1000sccm，NH3的流量为100sccm～1000sccm，N2的流量为100sccm～1000sccm。
6.根据权利要求1所述的改善铜阻挡层与铜金属层的粘结性能的方法，其 特征在于，所述沉积碳化硅薄膜的处理温度为300摄氏度～500摄氏度，气压为 2Torr～8Torr。
7.根据权利要求1所述的改善铜阻挡层与铜金属层的粘结性能的方法，其 特征在于，所述沉积碳化硅薄膜步骤中，反应气体四甲基硅烷的流量为 100sccm～1000sccm，NH3的流量为500sccm～1000sccm，He的流量为 1000sccm～2000sccm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
