[发明专利]基片处理设备及其腔室装置和基片加热方法

权利要求书

1.一种用于处理基片的腔室装置，其特征在于，包括：

腔室本体，所述腔室本体内具有处理腔室；

第一加热部件，所述第一加热部件设在所述处理腔室内的顶部；

支承台，所述支承台设在所述处理腔室内用于支承基片，所述支承台的上表面与所述第一加热部件相对；和

匀热板，所述匀热板可在匀热位置与等待位置之间移动，所述匀热位置位于所述第一加热部件与所述支承台之间，所述等待位置远离所述匀热位置。

2.根据权利要求1所述的腔室装置，其特征在于，还包括待机仓，所述待机仓设在所述腔室本体的外侧壁上且所述待机仓的内腔与所述处理腔室连通，其中在所述等待位置所述匀热板位于所述待机仓的内腔内。

3.根据权利要求2所述的腔室装置，其特征在于，还包括第二加热部件，所述第二加热部件设在所述待机仓内用于对处于等待位置的所述匀热板进行预加热。

4.根据权利要求1所述的腔室装置，其特征在于，所述匀热板通过设在所述处理腔室内的旋转机械臂驱动旋转以便在所述等待位置和匀热位置之间移动，所述旋转机械臂的下端从所述腔室本体的下端伸出且所述旋转机械臂的上端与所述匀热板相连。

5.根据权利要求1所述的腔室装置，其特征在于，所述支承台内设有用于加热基片的第三加热部件。

6.根据权利要求1所述的腔室装置，其特征在于，所述匀热板由陶瓷或石墨材料制成且具有预定的黑度。

7.根据权利要求1所述的腔室装置，其特征在于，所述第一加热部件为加热灯。

8.一种基片处理设备，其特征在于，包括权利要求1-7中任一项所述的腔室装置。

9.根据权利要求8所述的基片处理设备，其特征在于，所述基片处理设备为物理气相沉积设备。

10.根据权利要求9所述的基片处理设备，其特征在于，所述腔室装置为所述物理气相沉积设备中的去气腔室装置。

11.一种利用权利要求1-7中任一项所述腔室装置进行基片处理的方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1将基片置于所述处理腔室内的支承台上；

S2使所述匀热板处于所述等待位置；

S3通过所述第一加热部件将所述基片加热至第一预定温度，所述第一预定温度小于基片处理时的温度；

S4将所述匀热板从所述等待位置移动到所述匀热位置；

S5通过所述第一加热部件加热所述匀热板从而对所述支承台上的基片进行加热。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在步骤S4之前将所述匀热板加热至第二预定温度。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述第二预定温度大于等于基片处理时的温度。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述第二预定温度为350摄氏度到500摄氏度之间。