[发明专利]记忆体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种记忆体结构，其特征在于其包括一记忆胞，且该记忆胞包括：

一第一介电层，设置于一基底上；

一栅极，包括：

一基部，设置于该第一介电层上；及

一突出部，设置于该基部上，且暴露出部分基部；

一半导体层，共形地设置于该栅极上，且包括：

一顶部，设置于该突出部上方；

一底部，设置于由该突出部所暴露的该基部上方；及

一侧部，位于该突出部的侧壁，且连接该顶部与该底部；

一第一掺杂区及一第二掺杂区，分别设置于该顶部中与该底部中，而该侧部作为一通道区；以及

一电荷储存层，设置于该栅极与该半导体层之间。

2.根据权利要求1所述的记忆体结构，其特征在于其中当该记忆体结构包括多个记忆胞时，在同一条字元线上相邻的该些栅极藉由该基部相互连接。

3.根据权利要求1所述的记忆体结构，其特征在于其中当该记忆体结构包括多个记忆胞时，位于相邻两个突出部之间的相邻两个侧部彼此隔离设置。

4.根据权利要求1所述的记忆体结构，其特征在于还包括多个接触窗，分别连接至该第一掺杂区及该第二掺杂区。

5.一种记忆体结构的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：

在一基底上形成一第一介电层；

在该第一介电层上形成一字元线，且该字元线包括：

一基部，设置于该第一介电层上；及

多个突出部，设置于该基部上，且暴露出部分基部；

在该字元线上共形地形成一电荷储存层；

在该电荷储存层上共形地形成一半导体层，且该半导体层包括：

多个顶部，分别设置于该些突出部上方；

多个底部，分别设置于由该些突出部所暴露的该基部上方；及

多个侧部，分别位于该些突出部的侧壁，且连接该些顶部与该些底部，其中位于相邻两个突出部之间的相邻两个侧部彼此隔离设置；以及

在各该顶部中形成一第一掺杂区，且在各该底部中形成一第二掺杂区，而各该侧部作为一通道区。

6.根据权利要求5所述的记忆体结构的制造方法，其特征在于其中所述的字元线的形成方法包括：

在该第一介电层上形成一字元线材料层；以及

移除部分该字元线材料层。

7.根据权利要求5所述的记忆体结构的制造方法，其特征在于其中所述的半导体层的形成方法包括：

藉由非晶硅工艺形成一非晶硅层；以及

对该非晶硅层进行固相结晶工艺。

8.根据权利要求5所述的记忆体结构的制造方法，其特征在于其中所述的半导体层的形成方法包括化学气相沉积法。

9.根据权利要求5所述的记忆体结构的制造方法，其特征在于其中各该突出部与该基部形成一栅极。

10.根据权利要求5所述的记忆体结构的制造方法，其特征在于还包括形成多个接触窗，分别连接至该些第一掺杂区及该些第二掺杂区。