[发明专利]一种异质结太阳能电池的界面处理技术

权利要求书

1.一种采用氢原子处理技术的硅异质结太阳电池，其特征在于：它采用硅薄膜/晶硅异质结结构，衬底采用N型晶体硅片，晶硅表面采用氢原子处理，背表面沉积硅薄膜作为钝化层，并在其上沉积导电层作为背电极，正表面沉积p型掺杂硅薄膜或本征缓冲层和p型掺杂作为发射区，在P型薄膜层上沉积透明导电层，并在透明导电膜上设置电极。

2.如权利要求1所述的N型晶体硅片可以是单晶也可以是多晶硅片。

3.如权利要求1所述的晶硅表面采用氢原子处理指在沉积系统中利用反应气体分解基元H与晶硅表面进行相互作用。

4.如权利要求3所述的沉积系统可以是射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)系统，也可以是甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)系统，还可以是热丝化学气相沉积(HWCVD)系统。

5.如权利要求3所述的氢原子处理晶硅表面技术在工艺上采用所有可调参数的优化值。

6.如权利要求1所述的背表面钝化层可以是重掺杂n型硅薄膜，也可以是本征层和重掺杂n型薄膜组成的双层或多层硅膜结构。

7.如权利要求1所述的背电极可以是金属铝膜，也可以是掺杂ZnO膜，还可以是透明导电膜与金属铝膜形成的多层膜。

8.如权利要求1所述的正面膜结构，其特征在于：p型发射区可以是p型掺杂硅薄膜，也可以是缓冲过渡层与p型掺杂硅薄膜形成的双层或多层硅薄膜。

9.如权利要求1所述的在透明导电膜设置电极指采用丝网印刷制备前电极。