[发明专利]一种NMOS器件及其制造方法无效

申请号：	201110340533.0	申请日：	2011-11-01
公开（公告）号：	CN103094339A	公开（公告）日：	2013-05-08
发明（设计）人：	刘冬华;胡君;钱文生;韩峰;石晶;陈雄斌	申请（专利权）人：	上海华虹NEC电子有限公司
主分类号：	H01L29/78	分类号：	H01L29/78;H01L21/336
代理公司：	上海浦一知识产权代理有限公司 31211	代理人：	丁纪铁
地址：	201206 上***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	一种 nmos 器件及其制造方法
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【权利要求书】：

1.一种NMOS器件，包括：P型衬底、浅沟槽隔离、P阱、热氧化层、二氧化硅介质层、氮化硅硬掩膜层、隔离侧墙和补偿区，所述浅沟槽隔离、热氧化层、P阱和补偿区并列于P型衬底上方，所述热氧化层和补偿区位于浅槽隔离和P阱之间，所述二氧化硅介质层位于P阱上方，所述隔离侧墙位于补偿区上方与氮化硅介质层相邻，所述氮化硅硬掩膜层位于二氧化硅介质层上方与隔离侧墙相邻；其特征是：所述热氧化层具有P型杂质。

2.如权利要求1所述的NMOS器件，其特征是：所述热氧化层厚度为100埃至300埃。

3.一种NMOS器件的制造方法，其特征是，包括：

(1)在P型衬底上注入形成P阱；

(2)生长二氧化硅介质层，淀积硬掩膜层，制作刻蚀浅槽隔离；

(3)生成热氧化层；

(4)对热氧化层进行P型杂质注入；

(5)热处理，刻蚀，制作补偿区；

(6)制作隔离侧墙。

4.如权利要求3所述的NMOS器件制作方法，其特征是：实施步骤(3)时，生成热垫氧化层厚度为100埃至300埃。

5.如权利要求3所述的NMOS器件制作方法，其特征是：实施步骤(4)时，注入P型杂质为硼或氟化硼。

6.如权利要求3所述的NMOS器件制作方法，其特征是：实施步骤(4)时，注入P型杂质剂量为1e13cm^-2至5e14cm^-2，能量为5keV至50keV。

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