[发明专利]一种制备金刚石-石墨烯复合膜的方法

权利要求书

1. 一种制备金刚石-石墨烯复合膜的方法，其特征是：

    1）采用金刚石粉、碳化硅、氮化钛等硬质纳米颗粒高速冲击刻蚀镍、硅、钼等基体，获得高表面能、高密度基体表面微纳坑，再注入高浓度活性氢原子对铜、镍、硅、钼等基体表面微纳坑进行进行进一步反应刻蚀，使基体形成具有特定结构的微坑，将需制备金刚石-石墨烯复合膜置于一导热性能好的铜质基材上；

2）通过对基体表面的微纳坑和表面能的分析， 计算在基体表面生长石墨烯对碳源气体所需的浓度，制备合理的冷却系统，获得均匀的合适的基体温度，诱导活性碳原子及活性碳原子基团在基体表面形核；

3)采用DCPJCVD技术，在经过纳米颗粒和反应刻蚀技术在曲面镍基体上首先生长石墨烯，控制石墨烯厚度，然后通过对碳源浓度，活性氢原子浓度及基体温度等的控制，实现在石墨烯表面碳键晶格类型的转化，进行金刚石膜生长，制备金刚石-石墨烯复合膜。

2.如权利要求1所述的一种制备金刚石-石墨烯复合膜的方法，其特征是对金刚石-石墨烯复合膜生长基体进行微纳刻蚀特殊处理，获得特定结构的微坑。

3.如权利要求1所述的一种制备金刚石-石墨烯复合膜的方法，其特征在于使基体表面均布分散尺寸在0.1-10nm范围的微纳蚀点，制备石墨烯对碳源气体所需的浓度为5%-15%之间，基体表面温度差在0.3-0.7%之间，利于活性碳原子及活性碳原子基团的石墨烯形核。

4.如权利要求1所述的一种制备金刚石-石墨烯复合膜的方法，其特征在于采用DCPJCVD技术，在经过纳米颗粒和反应刻蚀技术在曲面镍基体上首先生长1-4个原子层厚度的石墨烯，控制石墨烯厚度，然后通过对碳源浓度，活性氢原子浓度及基体温度等的控制，实现在石墨烯表面碳键晶格类型的转化，进行金刚石膜生长，制备金刚石-石墨烯复合膜。