[发明专利]电子部件用钛铜

说明书

技术领域

本发明涉及适合作为连接器等电子部件用构件的钛铜及其制造方法。

背景技术

近年来，以便携终端等为代表的电子仪器的小型化日益推进，因此其中所使用的连接器的窄间距化及扁平化的趋势显著。越是小型的连接器引脚宽度越窄，形成折叠越小的加工性状，因此对于所使用的构件要求为得到必要的弹性所需的高强度以及能够耐受严苛的弯曲加工的优异的弯曲加工性。从这点来讲，含有钛的铜合金（以下称为“钛铜”）的强度较高，应力缓和特性在铜合金中最为优异，因此特别是作为要求强度的信号系统端子用构件，一直以来都在使用。

钛铜是时效固化型的铜合金。经过固溶处理形成作为溶质原子的Ti的过饱和固溶体，如果由该状态在低温下实施较长时间的热处理，则通过调幅分解，母相中Ti浓度周期性变动的调制结构生长，强度得到提高。此时的问题在于，强度和弯曲加工性是相反的特性。即，如果使强度提高，则弯曲加工性受损，相反地，如果重视弯曲加工性，则无法获得所需的强度。一般来讲，越是提高冷轧的轧制加工率，则所引入的位错量越多而位错密度越高，因而有助于析出的核生成位点增加，可以提高时效处理后的强度，但是如果轧制加工率过于提高，则弯曲加工性变差。因此，实现强度及弯曲加工性的兼顾成为问题。

因此，提出了通过添加Cr、Zr、Ni、Fe等的第三元素，从而促进晶粒的细微化来进行钛铜的特性改良（例如：日本特开平6-248375号公报、日本特开2004-231985号公报、及日本特开2009-084592号公报）。

专利文献1：日本特开平6-248375号公报

专利文献2：日本特开2004-231985号公报

专利文献3：日本特开2009-084592号公报。

发明内容

随着在钛铜中添加的这些第三元素的量的増加，Ti的固溶限度温度升高，容易析出粗大的第2相粒子，所以以往是通过进行两次固溶处理来弥补这个缺点的。即，通过在提高的温度下实施第一次固溶处理来使Ti充分固溶，通过第二次固溶处理得到细微的重结晶组织。

但是，认为实施两次固溶处理的情况相应地生产时间、生产成本、能耗提高，所以从考虑工业性生产的角度出发，认为若能够以一次固溶处理就完成则是有利的。因此，本发明的课题在于提供仅实施一次固溶处理就可以进行制造，同时强度和弯曲加工性的平衡优异的钛铜。另外，本发明的另一课题在于提供制造这样的钛铜的方法。

本发明人为了解决上述课题，经深入研究得知，在严格抑制第三元素的添加量的情况下，在一次固溶处理中可以同时进行固溶及重结晶，与以相同的第三元素添加量而得到的钛铜的特性相比，进行一次固溶处理的情况更为优异。并且，对如此得到的钛铜的轧制面通过X射线衍射测定（XRD）来研究晶体取向，发现了显示出特征性的峰。

基于上述观点而完成的本发明的一个方面是一种铜合金，其是含有2.0～4.0质量%的Ti，进而含有总计为0.01～0.15重量%的选自Fe、Co、Ni、Cr、V、Nb、Mo、Mn、Zr、Si、Mg、B及P中的一种以上，且剩余部分由铜及不可避免的杂质构成的电子部件用铜合金，

如果将来自轧制面的｛200｝晶面的X射线衍射积分强度相对于纯铜标准粉末的｛200｝晶面的X射线衍射积分强度之比记作I/I₀｛200｝，将来自轧制面的｛220｝晶面的X射线衍射积分强度相对于纯铜标准粉末的｛220｝晶面的X射线衍射积分强度之比记作I/I₀｛220｝，将来自轧制面的｛311｝晶面的X射线衍射积分强度相对于纯铜标准粉末的｛311｝晶面的X射线衍射积分强度之比记作I/I₀｛311｝，将来自轧制面的｛111｝晶面的X射线衍射积分强度相对于纯铜标准粉末的｛111｝晶面的X射线衍射积分强度之比记作I/I₀｛111｝，则满足以下（1）及（2）的关系。

（1）　30≤（I/I₀｛220｝）/（I/I₀｛200｝）≤95

（2）　0.36≤2×（I/I₀｛111｝）＋（I/I₀｛311｝）≤0.48

本发明涉及的铜合金的一个实施方式中，还满足以下（3）的关系。

（3）　1.02≤（I/I₀｛111｝）/（I/I₀｛200｝）≤2.00

本发明的另一个方面是铜合金压延制品，其主要由上述铜合金构成。

本发明的进而另一个方面是电子部件，其具备上述铜合金。