[发明专利]电子部件用钛铜

权利要求书

1.铜合金，其是含有2.0～4.0质量%的Ti，进而含有总计为0.01～0.15重量%的选自Fe、Co、Ni、Cr、V、Nb、Mo、Mn、Zr、Si、Mg、B及P中的一种以上，且剩余部分由铜及不可避免的杂质构成的电子部件用铜合金，其中，

如果将来自轧制面的｛200｝晶面的X射线衍射积分强度相对于纯铜标准粉末的｛200｝晶面的X射线衍射积分强度之比记作I/I₀｛200｝，将来自轧制面的｛220｝晶面的X射线衍射积分强度相对于纯铜标准粉末的｛220｝晶面的X射线衍射积分强度之比记作I/I₀｛220｝，将来自轧制面的｛311｝晶面的X射线衍射积分强度相对于纯铜标准粉末的｛311｝晶面的X射线衍射积分强度之比记作I/I₀｛311｝，将来自轧制面的｛111｝晶面的X射线衍射积分强度相对于纯铜标准粉末的｛111｝晶面的X射线衍射积分强度之比记作I/I₀｛111｝，则满足以下（1）及（2）的关系，

（1）　30≤（I/I₀｛220｝）/（I/I₀｛200｝）≤95

（2）　0.36≤2×（I/I₀｛111｝）＋（I/I₀｛311｝）≤0.48。

2.根据权利要求1所述的铜合金，其进一步满足以下（3）的关系，

（3）　1.02≤（I/I₀｛111｝）/（I/I₀｛200｝）≤2.00。

3.铜合金压延制品，其主要由权利要求1或2所述的铜合金构成。

4.电子部件，其具备权利要求1或2所述的铜合金。

5.连接器，其具备权利要求1或2所述的铜合金。

6.权利要求1或2所述的铜合金的制造方法，其包括：

对于电子部件用铜合金原料，加热到比730～880℃下Ti的固溶限度与添加量相同的温度高出0～20℃的温度，进行固溶处理，所述电子部件用铜合金原料含有2.0～4.0质量%的Ti，进而含有总计为0.01～0.15重量%的选自Fe、Co、Ni、Cr、V、Nb、Mo、Mn、Zr、Si、Mg、B及P中的一种以上，且剩余部分由铜及不可避免的杂质构成，

继固溶处理之后，进行轧制加工率为5～40%的最终冷轧，

继最终冷轧之后，在材料温度为300～500℃下进行0.1～15小时的时效处理，

并且仅实施一次固溶处理。

7.权利要求1或2所述的铜合金的制造方法，其包括：

对于电子部件用铜合金原料，加热到比730～880℃下Ti的固溶限度与添加量相同的温度高出0～20℃的温度，进行固溶处理，所述电子部件用铜合金原料含有2.0～4.0质量%的Ti，进而含有总计为0.01～0.15重量%的选自Fe、Co、Ni、Cr、V、Nb、Mo、Mn、Zr、Si、Mg、B及P中的一种以上，且剩余部分由铜及不可避免的杂质构成，

继固溶处理之后，使材料温度为300℃以上且低于700℃来加热0.001～12小时，进行时效处理，

继时效处理之后，进行轧制加工率为5～40%的最终冷轧，

并且仅实施一次固溶处理。