[发明专利]太阳能电池表面电极的制备工艺无效
申请号: | 201110330897.0 | 申请日: | 2011-10-27 |
公开(公告)号: | CN102364701A | 公开(公告)日: | 2012-02-29 |
发明(设计)人: | 邢政;王荣新;张宝顺;杨辉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 表面 电极 制备 工艺 | ||
1.一种太阳能电池表面电极的制备工艺,其特征在于,该工艺为:在太阳能电池采光面上覆设石墨烯薄膜,并在靠近太阳能电池边缘的选定区域上形成外引线黏附材料层,而后在该选定区域引出外引线。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池表面电极的制备工艺,其特征在于,所述石墨烯薄膜是由直接生长于太阳能电池采光面上的或由外部直接或间接转移至太阳能电池采光面上的石墨烯材料制成。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池表面电极的制备工艺,其特征在于,所述石墨烯材料的直接转移方法为:
将太阳能电池衬底浸润到石墨烯悬浊液中或伴以超声以加强粘附,再取出烘干。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池表面电极的制备工艺,其特征在于,所述石墨烯材料的直接转移方法为:
将石墨烯利用黏附转移的方法固定在太阳电池采光面上。
5.根据权利要求2 、3或4所述的太阳能电池表面电极的制备工艺,其特征在于,所述石墨烯材料的制备工艺为:首先在主要由强氧化剂与强酸形成的胶体体系中加入天然石墨或人造石墨反应后得到氧化石墨,其后利用溶剂热还原法或热膨胀还原得到石墨烯;
所述强氧化剂至少选自氯酸钾和/或高锰酸钾;
所述强酸至少选自浓硫酸、浓硝酸和浓盐酸中的任意一种;
所述溶剂热还原法中采用乙醇作为溶剂,反应温度为20℃-900℃;
所述热膨胀还原法是在温度为100℃-1200℃的条件下进行的,且其中快速热膨胀剥离石墨的操作是在1-30min内完成。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池表面电极的制备工艺,其特征在于, 所述太阳能电池是由Si、Ge、Cu、In、Ti、III族、V族、II族、VI族中的任意一种或两种以上的组合构成。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池表面电极的制备工艺,其特征在于,所述太阳能电池的结构形式选自一个或一个以上的PN结、PIN单结、PIN结叠层多端连接结构以及双结级联和多结级联的复合结构。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池表面电极的制备工艺,其特征在于,所述外引线黏附材料层是采用物理或化学沉积方法制备的、厚1nm~5mm的无机导电材料和/或有机导电材料层,所述物理或化学沉积方法至少选自蒸发、溅射、激光沉积、旋涂、印刷、喷涂、CVD、PVD、VPD、化学水热、化学微乳胶、化学溶胶凝胶、化学液相沉积中的任意一种或两种以上的组合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的