[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。

背景技术

平板显示器是目前主流的显示器，其包括有源矩阵有机发光二极管显示器(AMOLED)、薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)等。TFT-LCD具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。根据驱动液晶的电场方向，TFT-LCD分为垂直电场型和水平电场型。而垂直电场型包括扭转向列(TN)TFT-LCD，水平电场型包括边缘场效应(FFS)TFT-LCD、共平面场效应(IPS)TFT-LCD。FFS型TFT-LCD具有宽视角、高开口率等优点，在液晶显示领域得到了广泛的应用。

在薄膜晶体管的制作工艺中，在一些情况下，为了防止在形成源漏电极时对有源层的过刻，需要在有源层上沉积一层刻蚀阻挡层，这需要一次额外的光刻工艺形成刻蚀阻挡层，例如，对于底栅型TFT，一般需要五次构图工艺完成制造，工艺复杂，制造时间较长，制造成本也较高。

另外，液晶显示器的尺寸在不断增大，驱动电路的频率在不断提高，由于非晶硅薄膜晶体管的迁移率一般在0.5cm²/VS左右，而液晶显示器尺寸超过80in时，驱动频率超过120Hz，需要1cm²/VS以上的迁移率，现有的非晶硅薄膜晶体管迁移率很难满足需求。金属氧化物薄膜晶体管的迁移率高、均一性好、透明，可以更好地满足大尺寸液晶显示器和有源有机电致发光的需求，因此高性能金属氧化物薄膜晶体管备受人们的关注，已成为最近的研究热点。

发明内容

本发明的目的是提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，采用四次构图工艺实现阵列基板的制造，从而缩短生产时间，提高生产效率，降低生产成本。

为了实现上述目的，本发明提供一种阵列基板的制造方法，包括：

步骤1、形成第一层像素电极、栅线和栅电极的图形；

步骤2、形成有源层的图形；

步骤3、形成保护层和阻挡层的图形；

步骤4、形成第二层像素电极、源漏电极和数据线的图形

上述的制造方法，其中：

所述步骤1包括：在基板上形成透明导电薄膜和栅金属薄膜，通过构图工艺形成第一层像素电极、栅线和栅电极的图形；

所述步骤2包括：形成栅绝缘层和有源层，通过构图工艺形成有源层的图形；

所述步骤3包括：形成绝缘层，通过构图工艺形成保护层和阻挡层的图形，所述阻挡层位于所述有源层的沟道区域上方；

所述步骤4包括：形成透明导电薄膜和源漏金属薄膜，通过构图工艺形成第二层像素电极、源漏电极和数据线的图形。

上述的制造方法，其中，所述有源层的材料为金属氧化物。

为了实现上述目的，本发明还提供一种阵列基板，包括：

形成在基板上的第一层像素电极、栅线和栅电极；

形成在第一层像素电极、栅线和栅电极上的栅绝缘层；

形成在栅绝缘层上的有源层和保护层，以及形成在有源层的沟道区域上方的阻挡层；

形成在有源层上方的源漏电极和数据线，以及形成在保护层上的第二层像素电极。

上述的阵列基板，其中，所述有源层的材料为金属氧化物。

为了实现上述目的，本发明还提供一种显示装置，其中，包括上述的阵列基板。

从以上所述可以看出，本发明提供的上述技术方案，在制造FFS型TFT的过程中，将刻蚀阻挡层与保护层利用一次构图工艺完成，这样通过四次构图工艺就能实现阵列基板的制造，从而缩短了生产时间，提高了生产效率，降低了生产成本。

附图说明

图1为本发明实施例的阵列基板的截面图；

图2为本发明实施例的阵列基板的制造方法流程图；

图3为本发明实施例在沉积透明导电薄膜和栅金属薄膜后的截面图；

图4为本发明实施例在第一次构图工艺中经过灰色调或半色调掩模板曝光显影后的截面图；

图5为本发明实施例在完成第一次构图工艺后的截面图；

图6为本发明实施例在完成第二次构图工艺后的截面图；

图7为本发明实施例在完成第三次构图工艺后的截面图；

图8为本发明实施例在沉积透明导电薄膜和源漏金属薄膜后的截面图；

图9为本发明实施例在第四次构图工艺中经过灰色调或半色调掩模板曝光显影后的截面图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例对本发明进行详细描述。