[发明专利]一种碳纳米管原位补强的LED封装硅胶及其制备方法无效
| 申请号: | 201110320943.9 | 申请日: | 2011-10-17 |
| 公开(公告)号: | CN103045156A | 公开(公告)日: | 2013-04-17 |
| 发明(设计)人: | 丁海燕;吴洪正;欧阳星;帅宏喜 | 申请(专利权)人: | 杭州中富彩新材料科技有限公司 |
| 主分类号: | C09J183/06 | 分类号: | C09J183/06;C09J11/04;C08G77/16;C08K9/00;C08K7/00;C08K3/04;H01L33/56 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 310000 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 纳米 原位 led 封装 硅胶 及其 制备 方法 | ||
1.一种碳纳米管原位补强的LED封装硅胶及其制备方法,其特征在于它的制备步骤为:
(1)将碳纳米管经等离子体处理1-2h;
(2)将一定量的经处理的碳纳米管加入到适量的二甲基聚硅氧烷单体中,在酸性催化剂作用下进行原位聚合,聚合完毕后,加入碱性中和剂中和至中性,并除去残留水分,获得碳纳米管改性的、末端为羟基的二甲基硅油;
(3)将步骤2中所得产物与交联剂、催化剂按照一定比例混合均匀,制成A、B组分组成的灌封硅胶。
2.根据权利要求1所述的一种碳纳米管原位补强的LED封装硅胶及其制备方法,其特征在于所述的碳纳米管为单壁碳纳米管。
3.根据权利要求1所述的一种碳纳米管原位补强的LED封装硅胶及其制备方法,其特征在于所述的碳纳米管为多壁碳纳米管。
4.根据权利要求1所述的一种碳纳米管原位补强的LED封装硅胶及其制备方法,其特征在于所述的碳纳米管为杂壁碳纳米管。
5.根据权利要求1所述的一种碳纳米管原位补强的LED封装硅胶及其制备方法,其特征在于步骤2中所述的的二甲基聚硅氧烷单体为D3、D4、DMC中的一种或几种的混合物;聚合后产物结构式为HOMe2SiO(Me2SiO)mMe2SiOH,其中Me代表甲基;m为正整数且满足40≤m≤18000。
6.根据权利要求1所述的一种碳纳米管原位补强的LED封装硅胶及其制备方法,其特征在于步骤2中所述的酸性催化剂为浓度0.01%-98%的硫酸、0.01%-70%的磷酸、醋酸、醋酸酐、三氟甲磺酸中的一种或者几种的混合物。
7.根据权利要求1所述的一种碳纳米管原位补强的LED封装硅胶及其制备方法,其特征在于步骤2聚合完毕后,所用的中和剂为无水碳酸钠、碳酸氢钠、氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化锂、氢氧化铝、氢氧化镁等中的一种或几种的混合物。
8.根据权利要求1所述的一种碳纳米管原位补强的LED封装硅胶及其制备方法,其特征在于步骤3中所述的交联剂为正硅酸乙酯、正硅酸甲酯、正硅酸丙酯、正硅酸异丙酯、正硅酸丁酯、正硅酸叔丁酯。
9.根据权利要求1所述的一种碳纳米管原位补强的LED封装硅胶及其制备方法,其特征在于步骤3中所述的催化剂为辛酸亚锡、二甲基锡、二辛基锡、四苯基锡、二丁基锡、三丁基锡、三苯基锡中的一种或几种的混合物。
10.根据权利要求1所述的一种碳纳米管原位补强的LED封装硅胶及其制备方法,其特征在于本发明硅胶固化温度25~80℃,固化时间1-72h,固化物硬度0-60 shore A,透光率>95%。
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