[发明专利]一种碳纳米管原位补强的LED封装硅胶及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201110320943.9 申请日: 2011-10-17
公开(公告)号: CN103045156A 公开(公告)日: 2013-04-17
发明(设计)人: 丁海燕;吴洪正;欧阳星;帅宏喜 申请(专利权)人: 杭州中富彩新材料科技有限公司
主分类号: C09J183/06 分类号: C09J183/06;C09J11/04;C08G77/16;C08K9/00;C08K7/00;C08K3/04;H01L33/56
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 310000 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 纳米 原位 led 封装 硅胶 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种碳纳米管原位补强的LED封装硅胶及其制备方法,其特征在于它的制备步骤为:

(1)将碳纳米管经等离子体处理1-2h;

(2)将一定量的经处理的碳纳米管加入到适量的二甲基聚硅氧烷单体中,在酸性催化剂作用下进行原位聚合,聚合完毕后,加入碱性中和剂中和至中性,并除去残留水分,获得碳纳米管改性的、末端为羟基的二甲基硅油;

(3)将步骤2中所得产物与交联剂、催化剂按照一定比例混合均匀,制成A、B组分组成的灌封硅胶。

2.根据权利要求1所述的一种碳纳米管原位补强的LED封装硅胶及其制备方法,其特征在于所述的碳纳米管为单壁碳纳米管。

3.根据权利要求1所述的一种碳纳米管原位补强的LED封装硅胶及其制备方法,其特征在于所述的碳纳米管为多壁碳纳米管。

4.根据权利要求1所述的一种碳纳米管原位补强的LED封装硅胶及其制备方法,其特征在于所述的碳纳米管为杂壁碳纳米管。

5.根据权利要求1所述的一种碳纳米管原位补强的LED封装硅胶及其制备方法,其特征在于步骤2中所述的的二甲基聚硅氧烷单体为D3、D4、DMC中的一种或几种的混合物;聚合后产物结构式为HOMe2SiO(Me2SiO)mMe2SiOH,其中Me代表甲基;m为正整数且满足40≤m≤18000。

6.根据权利要求1所述的一种碳纳米管原位补强的LED封装硅胶及其制备方法,其特征在于步骤2中所述的酸性催化剂为浓度0.01%-98%的硫酸、0.01%-70%的磷酸、醋酸、醋酸酐、三氟甲磺酸中的一种或者几种的混合物。

7.根据权利要求1所述的一种碳纳米管原位补强的LED封装硅胶及其制备方法,其特征在于步骤2聚合完毕后,所用的中和剂为无水碳酸钠、碳酸氢钠、氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化锂、氢氧化铝、氢氧化镁等中的一种或几种的混合物。

8.根据权利要求1所述的一种碳纳米管原位补强的LED封装硅胶及其制备方法,其特征在于步骤3中所述的交联剂为正硅酸乙酯、正硅酸甲酯、正硅酸丙酯、正硅酸异丙酯、正硅酸丁酯、正硅酸叔丁酯。

9.根据权利要求1所述的一种碳纳米管原位补强的LED封装硅胶及其制备方法,其特征在于步骤3中所述的催化剂为辛酸亚锡、二甲基锡、二辛基锡、四苯基锡、二丁基锡、三丁基锡、三苯基锡中的一种或几种的混合物。

10.根据权利要求1所述的一种碳纳米管原位补强的LED封装硅胶及其制备方法,其特征在于本发明硅胶固化温度25~80℃,固化时间1-72h,固化物硬度0-60 shore A,透光率>95%。

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