[发明专利]一种全息双闪耀光栅的制作方法

权利要求书

1.一种全息双闪耀光栅制作方法，所述全息双闪耀光栅的两个闪耀角分别是A闪耀角和B闪耀角，双闪耀光栅分为两个区，对应A闪耀角的为A光栅区，对应B闪耀角的为B光栅区，其特征在于：所述制作方法包括下列步骤：

1)在基片上涂布光刻胶，该光刻胶厚度由所述A闪耀角决定；

2)对所述光刻胶层进行光刻，形成用于制作A闪耀角的光刻胶光栅；

3)遮挡所述B光栅区，在A光栅区上，以所述光刻胶光栅为掩模，对基片进行斜向Ar离子束刻蚀，利用光刻胶光栅掩模对离子束的遮挡效果，使基片材料的不同位置先后被刻蚀，形成A闪耀角的闪耀光栅；

4)遮挡所述A光栅区，在B光栅区上，以所述光刻胶光栅为掩模，对基片进行正向离子束刻蚀，将光刻胶光栅图形转移到基片上，形成B光栅区的同质光栅，刻蚀深度由B闪耀角决定；

5)清洗基片，去除剩余光刻胶；

6)遮挡A光栅区，以所述B光栅区的同质光栅为掩模，对基片进行斜向Ar离子束扫描刻蚀，利用同质光栅掩模对离子束的遮挡效果，使基片材料的不同位置先后被刻蚀，形成B闪耀角的闪耀光栅；

7)清洗基片，得到双闪耀角的闪耀光栅。

2.如权利要求1所述的全息双闪耀光栅制作方法，其特征在于：所述正向离子束刻蚀采用Ar离子束刻蚀方法或CHF₃反应离子束刻蚀方法，其具体的工艺参数为：Ar离子束刻蚀时，离子能量为380eV至520eV，离子束流为70mA至140mA，加速电压为240V至300V，工作压强为2.0×10^-2Pa；CHF₃反应离子束刻蚀时，离子能量为300eV至470eV，离子束流为70mA至140mA，加速电压为200V至300V，工作压强为1.4×10^-2Pa。

3.如权利要求1所述的全息双闪耀光栅制作方法，其特征在于：所述光刻胶光栅的占宽比为0.25-0.6，周期为300至3000nm。

4.如权利要求1所述的全息双闪耀光栅制作方法，其特征在于：所述光刻胶光栅为矩形光栅或正弦形光栅。

5.如权利要求1所述的全息双闪耀光栅制作方法，其特征在于：所述同质光栅为矩形光栅或梯形光栅。

6.如权利要求1所述的全息双闪耀光栅制作方法，其特征在于：所述斜向Ar离子束扫描刻蚀的工艺参数为：离子能量380至520eV，离子束流70至140mA，加速电压240至300V，工作压强2.0×10^-2Pa，刻蚀角度为8°至40°。

7.如权利要求1所述的全息双闪耀光栅制作方法，其特征在于：在所述遮挡A光栅区或遮挡B光栅区时，使用的遮挡物为一条纹板。

8.如权利要求1所述的全息双闪耀光栅制作方法，其特征在于：在所述步骤4之前，进一步包括对光刻胶光栅进行灰化处理的步骤。