[发明专利]一种LED灯具的晶圆级封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种LED灯具的晶圆级封装结构，包括：灯壳、高反射铝层、未切割LED晶圆、LED芯片以及二次光学透镜，其特征在于，二次光学透镜内侧底部点入荧光胶，上部为LED芯片，LED芯片上布置未切割LED晶圆，LED晶圆上布置高反射铝层，顶部和侧部包覆灯壳。

2.根据权利要求1所述的LED灯具的晶圆级封装结构，其中，LED芯片采取共阴极共阳极的方式与电源的正负极相连结。

3.根据权利要求1所述的LED灯具的晶圆级封装结构，其中，二次光学透镜的厚度为0.05-0.3毫米，其透镜高度为1-10厘米，二次光学透镜内部注入的荧光胶的厚度为0.05-0.3毫米；荧光胶的材料配比为黄粉甲∶黄粉乙∶黄粉丙∶红粉甲∶红粉乙∶绿粉甲∶绿粉乙∶纳米玻璃甲∶纳米玻璃乙＝0.1-3.0∶0.1-3.0∶0.1-3.0∶0.05-0.1∶0.05-0.1∶0.03-0.2∶0.03-0.2∶0.2-2.0∶0.2-2.0。

4.根据权利要求1所述的LED灯具的晶圆级封装结构，其中，未切割LED晶圆的厚度为200-500微米，LED芯片的厚度为500-1000微米，未切割LED晶圆表面生长一层氮化镓薄膜。

5.根据权利要求1所述的LED灯具的晶圆级封装结构，其中，其中，高反射铝薄膜的厚度为1-100纳米，高反射铝镀在晶圆的背面，通过高导热系数胶黏剂、超音波共晶或者脉冲激光焊接实现。

6.一种LED灯具的晶圆级该封装结构的制备方法，包括：

步骤1，根据LED芯片的光学特性，仿真获取二次光学透镜的光学参数，并且进行光学级模仁制作；

步骤2，制备二次光学透镜，并且将荧光胶通过点胶机点入透镜内侧；

步骤3，获取未切割LED晶圆，对未切割LED晶圆背面进行高反射铝的激光脉冲蒸镀；

步骤4，将点有荧光胶的二次光学透镜与镀有高反射铝的未切割LED晶圆结合，并且与与电源模块相连接，完成晶圆级封装。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，步骤1包括：

步骤11，以光学仿真软件针对LED芯片的光学特性，进行综合仿真，获取适合二次光学透镜的光学参数；

步骤12，根据光学仿真结果，进行光学级模仁制作。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，步骤2中，二次光学透镜的厚度为0.05-0.3毫米，其透镜高度为1-10厘米，二次光学透镜内部注入的荧光胶的厚度为0.05-0.3毫米；荧光胶的材料配比为黄粉甲∶黄粉乙∶黄粉丙∶红粉甲∶红粉乙∶绿粉甲∶绿粉乙∶纳米玻璃甲∶纳米玻璃乙＝0.1-3.0∶0.1-3.0∶0.1-3.0∶0.05-0.1∶0.05-0.1∶0.03-0.2∶0.03-0.2∶0.2-2.0∶0.2-2.0。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，步骤3还包括：

于未切割晶圆上以有机金属气相沉积长一层氮化镓薄膜，之后将未切割晶圆减薄至200-300微米；

成长二氧化硅薄膜，以蚀刻液对未切割晶圆进行蚀刻；

进行平台蚀刻与背面图型制作，之后进行蒸镀接触电极制程。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，步骤4还包括：

其中，将点有荧光胶的二次光学透镜与镀有高反射铝的未切割LED晶圆以机械机构辅以胶黏方式予以结合，温度为50-100℃；将二次光学透镜与镀有高反射铝的未切割LED晶圆与电源模块采取共阴极共阳极的方式相连接。