[发明专利]化学机械抛光后晶片清洗装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种化学机械抛光后晶片清洗装置，特别是涉及一种刷洗机，可以在化学机械抛光工艺后刷洗半导体晶片。

背景技术

化学机械抛光(chemical mechanical polishing，CMP)技术常用在半导体产业中，可以平坦化晶片上的介质层。一般来说，在化学机械抛光工艺中，一抛光悬浮剂或一浆料会放在一抛光垫的抛光表面上。晶片和抛光表面间的相对运动会使晶片表面上的机械结合化学效应。所以，化学机械抛光工艺可以让晶片的表面变得非常平坦。

另外，在化学机械抛光工艺后，必须再进行化学机械抛光后清洗步骤，而移除抛光工艺中剩余的剩余浆料和其它剩余物。在化学机械抛光工艺后实施的清洗步骤可以是：利用旋转的清洁刷在刷洗机内清洗晶片表面。利用清洁刷的旋转动作和清洁刷施加在晶片的压力，帮助剩余浆料从晶片表面上移除。

但是，公知化学机械抛光后晶片清洗装置还是无法达到令人满意的清洁效率。沿着晶片表面的边缘可以看见剩余浆料和大量缺陷。因此，产业上还需要一种改进的化学机械抛光后晶片清洗装置，而解决上述问题。

发明内容

本发明提出一种改进的化学机械抛光后晶片清洗装置，用来解决上述问题。

本发明公开了一种化学机械抛光后晶片清洗装置，特征在于包含：腔体；多个滚轮，用来支撑和旋转位在所述腔体中的一个晶片；至少一清洁刷，用来刷洗所述晶片的一待清洗表面，其中所述晶片的待清洗表面分成二区域：中央区域和环形周边区域；和喷洒杆，用来喷洒液体到晶片上，其中所述的喷洒杆包含第一喷嘴组，其为分散布置而且位在所述喷洒杆的中间部分并对应所述中央区域，和第二喷嘴组，其为密集布置并且位在所述喷洒杆的两端而且对应所述环形周边区域。

本发明公开了一种化学机械抛光后晶片清洗装置，特征在于包含：腔体；多个滚轮，用来支撑和旋转腔体中的晶片；至少一个清洁刷，用来刷洗晶片的待清洗表面；和液体喷洒装置，用来喷洒一液体到晶片上，其中液体喷洒装置包含二个喷洒杆，其经由接合构件接合在一起。

附图说明

图1A是第一优选实施例的刷洗机的相关组件的示意图。

图1B是第一优选实施例的刷洗机的侧视图。

图2A是第二优选实施例的刷洗机的相关组件的示意图。

图2B是第二优选实施例的刷洗机的侧视图。

其中，附图标记说明如下：

10     晶片            12    清洁刷

14、24 液体喷洒装置    14a   顶面

52     滚轮            100   腔体

122    机台轴          124   帮浦

142      第一喷嘴组       144  第二喷嘴组

152      液体进料导管     154  液体出料导管

242、244 喷洒杆           262  接合构件

320      水柱             A    中央区域

B        环形周边区域     F    力

Fx       水平分力         α   角度

θ       入射角           F    力

α       角度

具体实施方式

虽然本发明的优选实施例叙述例如下，但是并非用来限定本发明。任何擅长此技术的人员，在不脱离本发明的精神和范围内，可以对本发明作更动和润饰。因此本发明的保护范围会以权利要求的界定范围当作标准。并且为了让本发明的精神容易被理解，部分公知结构与工艺步骤的细节不会在此描述。

同样地，附图是优选实施例的装置示意图，但不是用来限定装置的尺寸。为了使本发明可以更清楚地呈现，部分组件的尺寸可能在附图被放大呈现。再者，在多个优选实施例中，相同的组件将会标示相同或相似的标记，使说明更容易并且更清晰。

为了让本发明的目的、特征和优点能更明显易懂，下文描述优选实施方式，并配合附图，详细说明如下。但优选实施方式和附图只供参考与说明，并不是用来对本发明加以限制。

虽然下述优选实施例只描述使用单面的刷洗器，但本发明也可以使用双面的刷洗器。例如一种单面的刷洗器，一次只以一个清洁刷刷洗晶片的一面。例如是一种双面的刷洗器，则可以利用滚轮清洁刷同时刷洗晶片的两面。