[发明专利]化学机械抛光后晶片清洗装置

权利要求书

1.一种化学机械抛光后晶片清洗装置，其特征在于包含：

腔体；

多个滚轮，用来支撑和旋转位在所述腔体中的一个晶片；

至少一清洁刷，用来刷洗所述晶片的一待清洗表面，其特征在于所述晶片的待清洗表面分成二区域：中央区域和环形周边区域；和

喷洒杆，用来喷洒液体到晶片上，其中所述的喷洒杆包含第一喷嘴组，其为分散布置而且位在所述喷洒杆的中间部分并对应所述中央区域，以及第二喷嘴组，其为密集布置并且位在所述喷洒杆的两端而且对应所述环形周边区域。

2.根据权利要求1所述的化学机械抛光后晶片清洗装置，其特征在于所述的第二喷嘴组的两相邻近喷嘴间的距离小于所述第一喷嘴组的两相邻近喷嘴间的距离。

3.根据权利要求1所述的化学机械抛光后晶片清洗装置，其特征在于从所述第二喷嘴组喷出的水柱比从第一喷嘴组喷出的水柱集中。

4.根据权利要求1所述的化学机械抛光后晶片清洗装置，其特征在于喷洒到所述晶片上的液体包含氢氧化四甲基铵。

5.根据权利要求1所述的化学机械抛光后晶片清洗装置，其特征在于所述的第一及第二喷嘴组是沿着所述喷洒杆的纵向方向排成一列。

6.根据权利要求1所述的化学机械抛光后晶片清洗装置，其特征在于所述喷洒杆和所述清洁刷相邻设置。

7.根据权利要求1所述的化学机械抛光后晶片清洗装置，其特征在于所述清洁刷由聚醋酸乙烯酯构成。

8.一化学机械抛光后晶片清洗装置，特征在于包含：

腔体；

多个滚轮，用来支撑和旋转所述的腔体中的一個晶片；

至少一个清洁刷，用来刷洗所述晶片的待清洗表面；和

液体喷洒装置，用来喷洒一液体到所述的晶片上，其特征在于所述的液体喷洒装置包含二个喷洒杆，其经由接合构件接合在一起。

9.根据权利要求8所述的化学机械抛光后晶片清洗装置，其特征在于所述晶片的所述的待清洗表面区分成二区域：一中央区域以及一环形周边区域。

10.根据权利要求8所述的化学机械抛光后晶片清洗装置，其特征在于位在所述的二个喷洒杆间的角度可以被调整。

11.根据权利要求8所述的化学机械抛光后晶片清洗装置，其特征在于所述二个喷洒杆的喷嘴所喷出的水柱和所述晶片的待清洗表面不会垂直。

12.根据权利要求9所述的化学机械抛光后晶片清洗装置，其特征在于所述的液体会施加一水平分力到所述的环形周边区域中，帮助移除残余浆料。

13.根据权利要求8所述的化学机械抛光后晶片清洗装置，其特征在于所述的液体喷洒装置呈现一倒V字形弯折状。