[发明专利]超洁净微环境装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体晶圆制造领域，具体涉及一种用于半导体晶圆制造设备中的超洁净微环境装置。

背景技术

超洁净微环境装置用于为半导体晶圆制造设备提供垂直层流，现有技术中的超洁净微环境装置全部为上进风方式，其中的风机都是设置在超洁净微环境装置的上表面。这种装置适合于上进风口无障碍物的情况，适合用于半导体晶圆制造设备单层工艺腔室的设备，而对于双层或多层工艺腔室的设备则不适用。基于这种现状，半导体晶圆制造设备的单位面积产量受到了一定的影响。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本发明所要解决的技术问题是：如何提供一种适合于双层或多层工艺腔室半导体晶圆制造设备的超洁净微环境装置。

(二)技术方案

为解决上述技术问题，本发明提供了一种超洁净微环境装置，包括装置本体、风机、气孔层和过滤板，所述气孔层上布置有多个气孔，所述风机设置在所述装置本体内部的侧壁上，所述气孔层设置在所述装置本体的内部，所述过滤板设置在所述装置本体的底面上。

优选地，所述装置本体为长方体形状的腔室，且所述气孔层位于所述风机的下方，所述过滤板位于所述气孔层的下方。

优选地，所述风机设置在所述装置本体内部的一个侧壁上。

优选地，所述气孔层上气孔的大小及排布方式为：从设置风机的一侧至相对的另一侧，气孔的大小由小变大，且气孔密度由密变疏。

优选地，所述风机分布在所述装置本体内部的两个相对的侧壁上。

优选地，所述气孔层上气孔的大小及排布方式为：从设置风机的两侧至气孔层的中间，气孔大小由小变大，且气孔密度由密变疏。

(三)有益效果

本发明将风机设置于装置本体的侧面，使得进风方式为侧面进风，因此装置适合于在双层或多层工艺腔室半导体晶圆制造设备中使用；通过特殊的气孔形状及排布设计，使得装置能够为半导体晶圆制造设备提供稳定、均匀的垂直层流。

附图说明

图1是本发明实施例一的装置的单侧出风口轴侧视图；

图2是本发明实施例一的装置的单侧出风口视图；

图3是本发明实施例二的装置的双侧出风口轴侧视图；

图4是本发明实施例二的装置的双侧出风口视图。

其中，101、201装置本体；102、202风机；103、203过滤板；104、204气孔层。

具体实施方式

下面对于本发明所提出的一种超洁净微环境装置，结合附图和实施例详细说明。

实施例1

如图1所示，一种超洁净微环境装置包括装置本体101、风机102，过滤板103、气孔层104。

该装置不同于传统的上进风装置，本发明为侧面进风，风机102附于装置本体101内部一侧壁上，将外部空气带入装置本体内部，形成正压；装置本体101内部的空气再由位于装置本体101下部的气孔层104上的气孔排出(如图2所示)，形成稳定、均匀的垂直层流，再经过滤板103进行过滤(包含分子过滤和颗粒过滤等，过滤板的材料为现有技术)，形成稳定、均匀、符合所要求洁净等级的垂直层流。

如图2所示，右侧为进风口，出风气孔从右向左，气孔大小由小变大，气孔密度由密变疏，此种特殊设计，可保证气体从装置本体101内部排出之后，各部分排气量均匀，从而形成稳定、均匀的垂直层流。

实施例2

如图3所示，此装置可拓展为双向进风口。包括装置本体201、风机202、过滤板203、气孔层204。

风机202附于装置本体201内部相对的两个侧壁，将外部空气带入装置本体内部，形成正压；装置本体内部空气再由装置本体下部不规则气孔排出(如图4所示)，形成稳定、均匀的垂直层流，再经过滤板203进行过滤(包含分子过滤和颗粒过滤等)，形成稳定、均匀、符合洁净等级的垂直层流。

如图4所示，两侧为进风口，出风气孔从两侧向中间，气孔大小由小变大，气孔密度由密变疏，此种特殊设计，可保证气体从装置本体201内部排出之后，各部分排气量均匀，从而形成稳定的均匀的垂直层流。

以上实施方式仅用于说明本发明，而并非对本发明的限制，有关技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴，本发明的专利保护范围应由权利要求限定。