[发明专利]超洁净微环境装置无效
| 申请号： | 201110305132.1 | 申请日： | 2011-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN102347259A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 赵宏宇;吴仪 | 申请（专利权）人： | 北京七星华创电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;B01D46/10;B01D46/42 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100016 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 洁净 环境 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种超洁净微环境装置，其特征在于，包括装置本体、风机、气孔层和过滤板，所述气孔层上布置有多个气孔，所述风机设置在所述装置本体内部的侧壁上，所述气孔层设置在所述装置本体的内部，所述过滤板设置在所述装置本体的底面上。
2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置本体为长方体形状的腔室，且所述气孔层位于所述风机的下方，所述过滤板位于所述气孔层的下方。
3.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述风机设置在所述装置本体内部的一个侧壁上。
4.如权利要求3所述的装置，其特征在于，所述气孔层上气孔的大小及排布方式为：从设置风机的一侧至相对的另一侧，气孔的大小由小变大，且气孔密度由密变疏。
5.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述风机分布在所述装置本体内部的两个相对的侧壁上。
6.如权利要求5所述的装置，其特征在于，所述气孔层上气孔的大小及排布方式为：从设置风机的两侧至气孔层的中间，气孔大小由小变大，且气孔密度由密变疏。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
