[发明专利]有机发光显示设备及其制造方法

说明书

优先权要求

本申请引用早先于2010年10月28日递交韩国知识产权局因而被正式分配序列号10-2010-0106021的申请，将其合并于此，并要求其优先权和所有权益。

技术领域

本发明涉及有机发光显示设备及其制造方法，更具体地说，涉及可以利用相对小数目的掩蔽操作制造并可以解决电容器中的粗糙掺杂的有机发光显示设备及其制造方法。

背景技术

有机发光显示设备在制造在形成有薄膜晶体管(TFT)、电容器和将薄膜晶体管和电容器彼此连接的布线的基板上。

一般来说，为了形成具有TFT的精细结构图案，这种精细图案通过利用包括精细图案的掩膜被传递到用于制造有机发光显示设备的基板。

一般来说，光刻操作被执行以通过利用掩膜来传递图案。在光刻操作中，光刻胶被均匀施加到基板上，光刻胶通过利用曝光器(例如，步进器)而曝光，并且在正性光刻胶的情况下，曝光的光刻胶被显影。此外，在光刻胶被显影之后，图案通过利用残留的光刻胶作为掩膜被刻蚀，并且不需要的光刻胶被去除。

在通过利用掩膜传递图案的这种操作中，应当制备具有必需图案的掩膜。因此，随着利用掩膜的操作数目增加，总制造成本由于制备掩膜的成本而增加。因此，需要尽可能地减少利用掩膜的次数。

同时，为了减少利用掩膜的次数，可以考虑利用多晶硅并随后向其中掺入杂质而与有源层一起形成电容器的电极之一。在这种情况下，如果多个区域作为单层一次形成以减少利用掩膜的次数，则电容器电极会被在掺入杂质之前形成的薄膜层覆盖，因此电容器电极无法进行均匀掺杂。如果电容器电极不均匀掺杂，则电阻增大，因而不能保证期望的电容。因此，需要减少利用掩膜的次数，并避免由于粗糙的杂质注入而导致的电阻增大。

发明内容

本发明提供一种改进的有机发光显示设备及其制造方法，其可以利用相对小数目的掩蔽操作来制造，并且可以解决电容器中的粗糙掺杂。

根据本发明的方面，提供一种有机发光显示设备，包括：薄膜晶体管(TFT)，包括有源层、栅电极、源电极和漏电极；电连接至所述TFT的有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括：以所描述的顺序堆叠的形成在与所述栅电极相同层上的像素电极、包括有机发光层的中间层以及对电极；以及电容器，包括：底电极，形成在与所述有源层相同的层上并由与所述有源层相同的材料形成，并且利用杂质进行掺杂；顶电极，形成在与所述栅电极相同的层上；和金属扩散介质层，形成在与所述源/漏电极相同的层上并连接至所述底电极。

所述栅电极可以包括：第一电极，形成在与所述像素电极相同的层上并由与所述像素电极相同的材料形成；和第二电极，形成在所述第一电极上。

所述顶电极可以包括：第一顶电极，形成在与所述第一电极相同的层上并由与所述第一电极相同的材料形成；和第二顶电极，在所述第一顶电极上形成在与所述第二电极相同的层上并由与所述第二电极相同的材料形成，并且被部分去除以暴露所述第一顶电极。

所述像素电极可以电连接至所述源电极和所述漏电极中之一。

多个狭缝可以形成在所述底电极中，并且所述金属扩散介质层可以在所述多个狭缝之间连接至所述底电极。

槽可以形成在所述底电极中，所述金属扩散介质层可以经由所述槽连接至所述底电极，并且所述槽可以被形成至缓冲层。

根据本发明的另一方面，提供一种制造有机发光显示设备的方法，所述方法包括：在第一掩蔽操作中，在基板上形成薄膜晶体管(TFT)的有源层和电容器的底电极；在第二掩蔽操作中，形成用于在所述有源层上形成栅电极、形成像素电极以及在所述底电极上形成所述电容器的顶电极的电极图案；在第三掩蔽操作中，形成层间绝缘层，所述层间绝缘层包括用于暴露所述有源层的两个相对端、所述像素电极的一部分、所述顶电极的一部分以及所述底电极的一部分的开口；在第四掩蔽操作中，形成源电极和漏电极以及金属扩散介质层，并且形成所述像素电极和所述顶电极，所述源电极和漏电极接触所述有源层的两个相对端和所述像素电极的被所述开口所暴露的部分，所述金属扩散介质层接触所述底电极的被所述开口所暴露的部分；并且在第五掩蔽操作中，形成用于暴露所述像素电极的像素限定层。

所述第二掩蔽操作可以包括：以所描述的顺序在所述有源层和所述底电极上沉积第一绝缘层、第一导电层和第二导电层；并且通过图案化所述第一导电层和所述第二导电层形成所述栅电极，所述栅电极利用所述第一导电层作为第一电极并利用所述第二导电层作为第二电极。所述方法可以进一步包括通过对所述有源层进行掺杂而形成源区、漏区以及位于所述源区和漏区之间的沟道区。