[发明专利]有机发光显示设备及其制造方法

权利要求书

1.一种有机发光显示设备，包括：

薄膜晶体管，包括有源层、栅电极、源电极和漏电极；

电连接至所述薄膜晶体管的有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括：以所描述的顺序堆叠的形成在与所述栅电极相同层上的像素电极、包括有机发光层的中间层以及对电极；以及

电容器，包括：底电极，形成在与所述有源层相同的层上并由与所述有源层相同的材料形成，并且利用杂质进行掺杂；顶电极，形成在与所述栅电极相同的层上；和金属扩散介质层，形成在与所述源电极和漏电极相同的层上并连接至所述底电极。

2.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述栅电极包括：

第一电极，形成在与所述像素电极相同的层上并由与所述像素电极相同的材料形成；和

第二电极，形成在所述第一电极上。

3.根据权利要求2所述的有机发光显示设备，其中所述顶电极包括：

第一顶电极，形成在与所述第一电极相同的层上并由与所述第一电极相同的材料形成；和

第二顶电极，在所述第一顶电极上形成在与所述第二电极相同的层上并由与所述第二电极相同的材料形成，并且被部分去除以暴露所述第一顶电极。

4.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述像素电极电连接至所述源电极和所述漏电极中之一。

5.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中多个狭缝形成在所述底电极中，并且

所述金属扩散介质层在所述多个狭缝之间连接至所述底电极。

6.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中槽形成在所述底电极中，并且

所述金属扩散介质层经由所述槽连接至所述底电极。

7.根据权利要求6所述的有机发光显示设备，其中缓冲层形成在所述底电极下方，并且

所述槽被形成至所述缓冲层。

8.一种制造有机发光显示设备的方法，所述方法包括：

在第一掩蔽操作中，在基板上形成薄膜晶体管的有源层和电容器的底电极；

在第二掩蔽操作中，形成用于在所述有源层上形成栅电极、在所述基板上形成像素电极以及在所述底电极上形成所述电容器的顶电极的电极图案；

在第三掩蔽操作中，形成层间绝缘层，所述层间绝缘层包括用于暴露所述有源层的两个相对端、所述像素电极的一部分、所述顶电极的一部分以及所述底电极的一部分的开口；

在第四掩蔽操作中，形成源电极和漏电极以及金属扩散介质层，并且形成所述像素电极和所述顶电极，所述源电极和漏电极接触所述有源层的两个相对端和所述像素电极的被所述开口所暴露的部分，所述金属扩散介质层接触所述底电极的被所述开口所暴露的部分；并且

在第五掩蔽操作中，形成用于暴露所述像素电极的像素限定层。

9.根据权利要求8所述的制造有机发光显示设备的方法，其中所述第二掩蔽操作包括：

以所描述的顺序在所述有源层和所述底电极上沉积第一绝缘层、第一导电层和第二导电层；并且

通过图案化所述第一导电层和所述第二导电层形成所述栅电极，所述栅电极利用所述第一导电层作为第一电极并利用所述第二导电层作为第二电极。

10.根据权利要求9所述的制造有机发光显示设备的方法，进一步包括通过对所述有源层进行掺杂而形成源区、漏区以及位于所述源区和漏区之间的沟道区。

11.根据权利要求8所述的制造有机发光显示设备的方法，其中所述第三掩蔽操作包括：

在所述栅电极和所述电极图案上沉积第二绝缘层；并且

通过图案化所述第二绝缘层，形成用于暴露所述有源层的两个相对端、所述像素电极的一部分、所述顶电极的一部分以及所述底电极的一部分的开口。

12.根据权利要求8所述的制造有机发光显示设备的方法，其中所述第四掩蔽操作包括：

在所述层间绝缘层上沉积第三导电层；并且

通过图案化所述第三导电层形成所述源电极、所述漏电极和所述金属扩散介质层。