[发明专利]发光装置及其形成方法无效
申请号: | 201110302323.2 | 申请日: | 2011-10-09 |
公开(公告)号: | CN102593278A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 林溥如 | 申请(专利权)人: | 纯化科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/48;H01L33/62 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 任默闻 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 及其 形成 方法 | ||
1.一种形成发光装置的方法,其特征在于,所述的方法包括:
提供一基座,其包含一第一表面,且具有立体形状;
形成一导电线路层于所述第一表面上;
提供一发光二极管模块,其中所述发光二极管模块包含一基板及设置于基板上的发光二极管晶粒;以及
使所述发光二极管模块的基板通过表面贴装法设置于所述导电线路层上,以形成所述发光装置。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述基座由选自下列群组的一材质所构成:表面氧化处理的铝、表面具有氧化层的铝、氧化铝及氮化铝。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,形成一导电线路层于所述第一表面上的步骤,包含使用一金属糊料,以网版印刷法或利用一点胶机印刷于所述第一表面后,进行烧结而形成所述导电线路层。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述形成导电线路层的步骤,包含:
形成一第一金属层;
形成一第二金属层;
形成一具有图案的薄膜于所述第二金属层上;
同时刻蚀所述第一金属层及所述第二金属层,以图型化所述第一金属层及所述第二金属层;
除去残留的所述薄膜。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述表面贴装法通过焊料,回流焊接所述基板与所述导电线路层。
6.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述导电线路层具有一配线图案。
7.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述金属糊料为银膏。
8.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述金属糊料为银膏,所述焊料为锡膏。
9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述发光二极管模块的基板与所述导电线路层之间包含锡膏,所述锡膏、所述锡膏与所述基板的介面以及所述锡膏与所述导电线路层的介面的有效热传导率为大于或等于50W/m-K以上。
10.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述网版印刷法通过一特定治具与所述陶瓷基座耦合,以便涂布所述金属糊料于所述第一表面上。
11.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述陶瓷基座与所述发光二极管模块的基板之间,承受4000V以上电压时所述发光装置的漏电流低于1nA。
12.如权利要求4所述的方法,其特征在于,利用溅镀靶材为Ti或TiW的溅镀法,且利用电镀法,形成所述第二金属层,所述第二金属层为一铜层。
13.一种发光装置,其特征在于,所述的发光装置包括:
一基座,其包含一第一表面;
一导电线路层,形成于所述第一表面上;以及
一发光二极管模块,其包含一基板及设置于基板上的至少一发光二极管晶粒,其中所述发光二极管模块的基板以表面贴装法设置于所述导电线路层上。
14.如权利要求13所述的发光装置,其特征在于,所述基座由选自下列群组的一材质所构成:表面氧化处理的铝、表面具有氧化层的铝、氧化铝及氮化铝。
15.如权利要求13所述的发光装置,其特征在于,所述发光二极管模块的基板与所述导电线路层之间包含锡膏,所述锡膏、所述锡膏与所述基板的介面以及所述锡膏与所述导电线路层的介面的有效热传导率为大于或等于50W/m-K以上。
16.如权利要求15所述的发光装置,其特征在于,所述导电线路层为银膏所构成,具有一配线图案。
17.如权利要求13所述的发光装置,其特征在于,所述发光二极管模块的基板与所述导电线路层之间,包含焊锡。
18.如权利要求13所述的发光装置,其特征在于,所述导电线路层依序层合种子金属层、铜层、化镍金层所构成的多层构造,具有一配线图案。
19.如权利要求13所述的发光装置,其特征在于,所述导电线路层的制作方法,包含:
溅镀一第一金属层,作为种子金属层,其中所述种子金属层为钛或钛钨材料所成;
电镀一铜层,形成一第二金属层;以及
形成一具有图案的薄膜于第二金属层,通过刻蚀使所述第一金属层及所述第二金属层同时图型化后,除去残留的所述薄膜。
20.如权利要求13所述的发光装置,其特征在于,所述陶瓷基座与所述发光二极管模块的基板之间,承受4000V以上电压时所述发光装置的漏电流低于1nA。
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