[发明专利]一种有机电致发光器件的封装结构和封装方法无效

专利信息
申请号: 201110299075.0 申请日: 2011-09-29
公开(公告)号: CN102332536A 公开(公告)日: 2012-01-25
发明(设计)人: 李军建 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 代理人: 徐丰;杨保刚
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 有机 电致发光 器件 封装 结构 方法
【权利要求书】:

1.一种有机电致发光器件的封装结构,包括基板(1)和盖板(2),其特征是:基板(1)内表面设置导电膜玻璃ITO电极层(3),导电膜玻璃ITO电极层(3)的封接区域表面设置有绝缘层(8);基板和盖板的边框封接区域之间设置有封接层(13、14);封接层与绝缘层、基板和盖板之间分别设置有过渡层(9、10、11、12)。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的封装结构,其特征是:所述的基板和盖板的材料是玻璃、金属或者云母。

3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的封装结构,其特征是:所述封接层(13、14)的材料为铟铋合金,其成分为:铟60-70%,铋30-40%;铟铋合金封接层的厚度为2-100μm,铟铋合金封接层宽度为1-3mm。

4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的封装结构,其特征是:所述的过渡层(9、10、11、12)的材料为Au、Ag、Pt和AgCu合金中的一种,过渡层的厚度为1-50μm,宽度比封接层的宽度宽0.5-1mm即为1.5- 4mm。

5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的封装结构,其特征是:所述的绝缘层(8)的材料为Al2O3或SiO2,其厚度为0.2-10μm,其宽度比过渡层的宽度宽1-2mm,即2.5-6mm。

6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的封装结构,其特征是:导电膜玻璃ITO电极层(3)兼作有机发光功能层的阳极层,有机发光功能层包括空穴传输层(4)、发光层(5)、电子传输层(6)和阴极层(7)。

7.一种有机电致发光器件的封装方法,其特征在于,包括以下步骤:

①在保护气体气氛环境中,使用热涂覆法或者印刷法,分别在基板和盖板的过渡层上涂覆一层铟铋合金;

②涂覆完成铟铋合金后,在保护气体气氛环境中,将过渡层和铟铋合金封接层加热,使铟铋合金与过渡层金属形成良好的浸润和粘合,构成铟铋合金封接层;

③完成步骤①和②后,在保护气体气氛下,进行基板和盖板铟铋合金封接层的封接;

④停止加热块加热,等待器件的封接层温度降低到40℃-50℃,从手套箱中取出封接完成的有机发光器件。

8.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的封装方法,其特征是:步骤①中铟铋合金封接层的厚度为2-100μm,优选的厚度为5-30μm,宽度为1-3mm,步骤②中过渡层和铟铋合金封接层加热到100-130℃。

9.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的封装方法,其特征是:在步骤①和②中,涂覆和加热铟铋合金层时,保护气体为氮气或惰性气体之一种,纯度为99%-99.9%。

10.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的封装方法,其特征是:在步骤③中,封接基板和盖板时,铟铋合金层的加热温度为80-100℃,保护气体的种类为氮气或惰性气体之一种,纯度为99.99%--99.999%。

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