[发明专利]一种有机电致发光器件的封装结构和封装方法无效
申请号: | 201110299075.0 | 申请日: | 2011-09-29 |
公开(公告)号: | CN102332536A | 公开(公告)日: | 2012-01-25 |
发明(设计)人: | 李军建 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人: | 徐丰;杨保刚 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 电致发光 器件 封装 结构 方法 | ||
1.一种有机电致发光器件的封装结构,包括基板(1)和盖板(2),其特征是:基板(1)内表面设置导电膜玻璃ITO电极层(3),导电膜玻璃ITO电极层(3)的封接区域表面设置有绝缘层(8);基板和盖板的边框封接区域之间设置有封接层(13、14);封接层与绝缘层、基板和盖板之间分别设置有过渡层(9、10、11、12)。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的封装结构,其特征是:所述的基板和盖板的材料是玻璃、金属或者云母。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的封装结构,其特征是:所述封接层(13、14)的材料为铟铋合金,其成分为:铟60-70%,铋30-40%;铟铋合金封接层的厚度为2-100μm,铟铋合金封接层宽度为1-3mm。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的封装结构,其特征是:所述的过渡层(9、10、11、12)的材料为Au、Ag、Pt和AgCu合金中的一种,过渡层的厚度为1-50μm,宽度比封接层的宽度宽0.5-1mm即为1.5- 4mm。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的封装结构,其特征是:所述的绝缘层(8)的材料为Al2O3或SiO2,其厚度为0.2-10μm,其宽度比过渡层的宽度宽1-2mm,即2.5-6mm。
6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的封装结构,其特征是:导电膜玻璃ITO电极层(3)兼作有机发光功能层的阳极层,有机发光功能层包括空穴传输层(4)、发光层(5)、电子传输层(6)和阴极层(7)。
7.一种有机电致发光器件的封装方法,其特征在于,包括以下步骤:
①在保护气体气氛环境中,使用热涂覆法或者印刷法,分别在基板和盖板的过渡层上涂覆一层铟铋合金;
②涂覆完成铟铋合金后,在保护气体气氛环境中,将过渡层和铟铋合金封接层加热,使铟铋合金与过渡层金属形成良好的浸润和粘合,构成铟铋合金封接层;
③完成步骤①和②后,在保护气体气氛下,进行基板和盖板铟铋合金封接层的封接;
④停止加热块加热,等待器件的封接层温度降低到40℃-50℃,从手套箱中取出封接完成的有机发光器件。
8.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的封装方法,其特征是:步骤①中铟铋合金封接层的厚度为2-100μm,优选的厚度为5-30μm,宽度为1-3mm,步骤②中过渡层和铟铋合金封接层加热到100-130℃。
9.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的封装方法,其特征是:在步骤①和②中,涂覆和加热铟铋合金层时,保护气体为氮气或惰性气体之一种,纯度为99%-99.9%。
10.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的封装方法,其特征是:在步骤③中,封接基板和盖板时,铟铋合金层的加热温度为80-100℃,保护气体的种类为氮气或惰性气体之一种,纯度为99.99%--99.999%。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择