[发明专利]一种淀积掺氮碳化硅薄膜的方法无效
| 申请号： | 201110298918.5 | 申请日： | 2011-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102456568A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 徐强;张文广;郑春生;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321;H01L21/3215;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 淀积掺氮 碳化硅 薄膜 方法 | ||
1.一种淀积掺氮碳化硅薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1：于一反应腔内壁淀积氮化硅薄膜；
步骤S2：在该反应腔内进行部分铜双大马士革结构互连工艺。
2.根据权利要求1所述的淀积掺氮碳化硅薄膜的方法，其特征在于，步骤S1中，于反应腔内壁淀积氮化硅薄膜的同时，于设置在反应腔内的加热台和气体分流盘的表面也淀积相同的氮化硅薄膜。
3.根据权利要求1所述的淀积掺氮碳化硅薄膜的方法，其特征在于，步骤S2中铜双大马士革结构互连工艺，包括以下步骤：
步骤a：于基底上淀积层间介电层，光刻、刻蚀后，形成铜互连线凹槽；
步骤b：淀积金属铜充满铜互连线凹槽并覆盖剩余层间介电层，化学机械研磨去除剩余层间介电层上的金属铜；
步骤c：采用NH3/N2的等离子体去除覆盖在剩余铜表面上的氧化层；
步骤d：淀积介质阻挡层覆盖剩余铜和剩余的层间介电层；
其中，步骤c、d在所述反应腔中进行。
4.根据权利要求3所述的淀积掺氮碳化硅薄膜的方法，其特征在于，层间介电层的材质为掺氮碳化硅。
5.根据权利要求3所述的淀积掺氮碳化硅薄膜的方法，其特征在于，覆盖有剩余层间介电层和剩余铜的基底设置在加热台上。
6.根据权利要求2或3所述的淀积掺氮碳化硅薄膜的方法，其特征在于，NH3/N2的等离子体通过气体分流盘喷向剩余铜表面上的氧化层。
7.根据权利要求3所述的淀积掺氮碳化硅薄膜的方法，其特征在于，进行步骤c时，其环境温度为300-500℃，压力为2-3Torr，高频射频电源功率为200-400W，反应时间为5-20s。
8.根据权利要求3所述的淀积掺氮碳化硅薄膜的方法，其特征在于，进行步骤c时，NH3为1500-2000sccm，N2为500-900sccm，SiH4为300-700sccm。
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