[发明专利]光掩模缺陷修正方法、图案转印方法、光掩模及其制造方法无效
申请号: | 201110298086.7 | 申请日: | 2011-09-29 |
公开(公告)号: | CN102445833A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
发明(设计)人: | 坂本有司 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F1/72 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 光掩模 缺陷 修正 方法 图案 及其 制造 | ||
1.一种光掩模的缺陷修正方法,使用缺陷修正装置来修正光掩模中产生的多余缺陷,该光掩模是对形成于透明基板上的遮光膜进行图案加工而形成的,具有透光部和遮光部,该缺陷修正方法的特征在于,包括:
膜去除步骤,将位于透光部的所述多余缺陷、和与具有所述多余缺陷的透光部邻接的遮光部的遮光膜的一部分同时去除;以及
膜形成步骤,在通过所述膜去除步骤去除了遮光膜的一部分的所述遮光部中形成修正膜,
在所述膜形成步骤中进行的膜形成是针对如下的遮光部进行的,该遮光部的宽度大于通过所述缺陷修正装置的一次修正操作所能形成的最小膜形成宽度。
2.一种光掩模的缺陷修正方法,使用缺陷修正装置来修正光掩模中产生的多余缺陷,该光掩模是对形成于透明基板上的遮光膜进行图案加工而形成的,具有透光部和遮光部,该缺陷修正方法的特征在于,包括:
第1膜去除步骤,将位于透光部的所述多余缺陷、和与具有所述多余缺陷的透光部邻接的遮光部的遮光膜的一部分同时去除;
膜形成步骤,在所述第1膜去除步骤中去除了遮光膜的一部分的所述遮光部、和与该遮光部邻接的第2透光部中形成修正膜;以及
第2膜去除步骤,去除所述第2透光部中形成的所述修正膜,
在所述第2膜去除步骤中进行的膜去除是针对如下的透光部进行的,该透光部的宽度大于通过所述缺陷修正装置的一次修正操作所能去除的最小膜去除宽度。
3.根据权利要求1或2所述的光掩模的缺陷修正方法,其特征在于,具有所述多余缺陷的透光部的宽度小于通过所述缺陷修正装置的一次修正操作所能去除的最小膜去除宽度。
4.根据权利要求1或2所述的光掩模的缺陷修正方法,其特征在于,使在所述膜形成步骤中形成的修正膜的边缘与所述邻接的遮光部的边缘一致。
5.根据权利要求1或2所述的光掩模的缺陷修正方法,其特征在于,所述多余缺陷包含所述修正膜。
6.一种光掩模的缺陷修正方法,使用缺陷修正装置来修正光掩模中产生的缺失缺陷,该光掩模是对形成于透明基板上的遮光膜进行图案加工而形成的,具有透光部和遮光部,该缺陷修正方法的特征在于,包括:
膜形成步骤,在包括位于遮光部中的所述缺失缺陷、和与具有所述缺失缺陷的遮光部邻接的透光部的一部分在内的区域中形成修正膜;以及
膜去除步骤,去除在所述膜形成步骤中形成的所述透光部的修正膜,
在所述膜去除步骤中进行的膜去除是针对如下的透光部进行的,该透光部的宽度大于通过所述缺陷修正装置的一次修正操作所能去除的最小膜去除宽度。
7.一种光掩模的缺陷修正方法,使用缺陷修正装置来修正光掩模中产生的缺失缺陷,该光掩模是对形成于透明基板上的遮光膜进行图案加工而形成的,具有透光部和遮光部,该缺陷修正方法的特征在于,包括:
第1膜形成步骤,在包括位于遮光部中的所述缺失缺陷、和与具有所述缺失缺陷的遮光部邻接的透光部的一部分在内的区域中形成修正膜;
膜去除步骤,将在所述第1膜形成步骤中形成于所述透光部中的所述修正膜、和与该透光部邻接的第2遮光部的遮光膜的一部分同时去除;以及
第2膜形成步骤,在所述膜去除步骤中去除了遮光膜的一部分的所述第2遮光部中形成修正膜,
在所述第2膜形成步骤中进行的膜形成是针对如下的遮光部进行的,该遮光部的宽度大于通过所述缺陷修正装置的一次修正操作所能形成的最小膜形成宽度。
8.根据权利要求6或7所述的光掩模的缺陷修正方法,其特征在于,具有所述缺失缺陷的遮光部的宽度小于通过所述缺陷修正装置的一次修正操作所能形成的最小膜形成宽度。
9.根据权利要求6或7所述的光掩模的缺陷修正方法,其特征在于,使在所述膜去除步骤中去除的修正膜的边缘与所述透光部的边缘一致。
10.根据权利要求6或7所述的光掩模的缺陷修正方法,其特征在于,所述缺失缺陷包含通过所述缺陷修正方法去除了遮光膜的区域。
11.根据权利要求1、2、6和7中的任意一项所述的光掩模的缺陷修正方法,其特征在于,具有所述多余缺陷的透光部或者具有所述缺失缺陷的遮光部的线宽为1μm以下。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于HOYA株式会社,未经HOYA株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110298086.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:临时接地线电弧转移及消弧装置
- 下一篇:GIS高压交流真空断路器操作机构
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备