[发明专利]薄膜晶体管

说明书

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管。

背景技术

随着工艺技术的进步，薄膜晶体管已被大量应用在显示器之中，以适应显示器的薄型化和小型化等需求。薄膜晶体管一般包括栅极、漏极、源极以及沟道层等组成部分，其通过控制栅极的电压来改变沟道层的导电性，使源极和漏极之间形成导通或者截止的状态。

薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极以及沟道层等部件，通过控制栅极的电压来改变沟道层的导电性。一般地，在沟道层形成之后，通过掺杂的方法在沟道层的相反两端形成高掺杂区域以形成源极和漏极。然而，上述掺杂的过程不仅使薄膜晶体管的制作工艺复杂化，而且还需要额外的设备如离子注入机等，这无疑会增加薄膜晶体管的制作成本。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种制备过程较简单的薄膜晶体管。

一种薄膜晶体管，包括基板、沟道层、源极、漏极和栅极，沟道层设置在基板上，源极和漏极分别设置在该沟道层的相对两侧并与该沟道层电连接，该栅极位于沟道层的上方或者下方，栅极与沟道层之间设置有栅绝缘层，沟道层采用第一氧化物半导体材料制成，源极和漏极采用第二氧化物半导体材料制成，且第二氧化物半导体材料的禁带宽度小于第一氧化物半导体材料的禁带宽度。

在本发明提供的薄膜晶体管中，采用具有较小禁带宽度的第二氧化物半导体材料作为源极和漏极，在同一温度下，源极和漏极将会具有较高的载流子浓度，从而具有较好的导电性能。上述过程无需通过在沟道层上掺杂的方式使源极和漏极的载流子浓度高于沟道层，从而使制备过程简单，降低薄膜晶体管的制作成本。

附图说明

图1是本发明第一实施例提供的薄膜晶体管的结构示意图。

图2是本发明第二实施例提供的薄膜晶体管的结构示意图。

图3是本发明第三实施例提供的薄膜晶体管的结构示意图。

主要元件符号说明

薄膜晶体管100、200基板110、210沟道层120、220源极130、230源极电极131、231漏极140、240漏极电极141、241栅极150、250栅绝缘层151、251粘结层260蚀刻阻挡层270

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

请参见图1，本发明第一实施例提供的薄膜晶体管100包括基板110、沟道层120、源极130、漏极140和栅极150。其中，基板10的制作材料包括玻璃、石英、硅晶片、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、金属箔或者纸。