[发明专利]薄膜晶体管

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括基板、沟道层、源极、漏极和栅极，沟道层设置在基板上，源极和漏极分别设置在该沟道层的相对两侧并与该沟道层电连接，该栅极位于沟道层的上方或者下方，栅极与沟道层之间设置有栅绝缘层，其特征在于，沟道层采用第一氧化物半导体材料制成，源极和漏极采用第二氧化物半导体材料制成，且第二氧化物半导体材料的禁带宽度小于第一氧化物半导体材料的禁带宽度。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，第一氧化物半导体材料选自IGZO、IZO、AZO、GZO、ITO、GTO、ATO、TiOx及ZnO其中之一。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，第二氧化物半导体材料选自IGZO、IZO、AZO、GZO、ITO、GTO、ATO、TiOx及ZnO其中之一。

4.如权利要求1-3任意一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，第一氧化物半导体材料和第二氧化物半导体材料选自IGZO、IZO或者ITO，且第二氧化物半导体材料中铟原子数与总的金属原子数的比值大于第一氧化物半导体材料中铟原子数与总的金属原子数的比值。

5.如权利要求1-3任意一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，第一氧化物半导体材料和第二氧化物半导体材料选自AZO或者ATO，且第二氧化物半导体材料中铝原子数与总的金属原子数的比值小于第一氧化物半导体材料中铝原子数与总的金属原子数的比值。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极位于沟道层的下方，所述栅绝缘层位于栅极和沟道层之间且延伸至源极和基板之间以及漏极和基板之间。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，一粘结层形成在栅极与基板之间以及栅绝缘层与基板之间。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，一蚀刻阻挡层形成在沟道层的相对远离栅绝缘层的表面上，所述源极和漏极覆盖在蚀刻阻挡层的部分表面上。

9.一种薄膜晶体管，包括基板、沟道层、源极、漏极和栅极，沟道层设置在基板上，源极和漏极分别设置在该沟道层的相对两侧并与该沟道层电连接，该栅极位于沟道层的上方或者下方，栅极与沟道层之间设置有栅绝缘层，其特征在于，沟道层采用第一氧化物半导体材料制成，源极和漏极采用第二氧化物半导体材料制成，且第二氧化物半导体材料的载流子浓度大于第一氧化物半导体材料的载流子浓度。

10.如权利要求9所述的薄膜晶体管，其特征在于，第一氧化物半导体材料和第二氧化物半导体材料选自IGZO、IZO或者ITO，且第二氧化物半导体材料中铟原子数与总的金属原子数的比值大于第一氧化物半导体材料中铟原子数与总的金属原子数的比值。