[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。

背景技术

通常，一块完整的液晶显示面板包括背光模组，上下偏光板，阵列基板、彩膜基板、以及滴注在阵列基板和彩膜基板之间的液晶。其中，阵列基板上设有栅线，垂直于所述栅线设有数据线，所述栅线和所述数据线之间限定有像素区域，所述像素区域内设有薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线连接、源极与所述数据线连接、漏极与所述像素电极连接。彩膜基板上设有黑矩阵以防止光线从除像素电极区域之外的部分发出、红绿蓝彩膜以用于显示彩色光、以及公共电极以用于形成显示所需的电场。

背光模组发出的光经过下偏光片后成为具有一定偏振方向的偏振光，阵列基板上的栅线控制薄膜晶体管打开后，由数据线控制作用于液晶上的电压，电压不同液晶分子的偏转角度也不同，从而使得透过的光强以及显示亮度不同，偏振光透过液晶并穿过设在彩膜基板上的彩膜层后形成单色偏振光，通过不同光强的红绿蓝三种单色偏振光的组合来显示五颜六色的图像。

其中，由数据线控制作用于液晶上的电压具体为，由数据线向阵列基板上的像素电极充电，以在像素电极和彩膜基板上的公共电极之间形成电场，该电场作用于液晶使得液晶分子发生偏转，从而根据液晶分子偏转的角度不同以透过不同强度的光。

目前常用的像素电极是氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)像素电极，氧化铟锡像素电极具有较好的光透过率和电导率，因此取得了广泛的应用。但是使用氧化铟锡像素电极也面临着越来越严重的问题。首先，氧化铟锡像素电极中使用的元素铟非常稀有，其在地球上的储量约在十年内就将被耗竭，因而近几年铟的价格居高不下，这也提高了液晶面板的成本。其次，氧化铟锡的性能不稳定，容易出现离子扩散，并对环境、人体健康以及电子器件造成不良影响。

发明内容

本发明的实施例提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，以降低成本和对环境、人体健康以及电子器件的不良影响。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明的实施例一方面提供了一种薄膜晶体管阵列基板，包括基板，布设于所述基板上的栅线、数据线、薄膜晶体管及像素电极，所述像素电极为由石墨烯薄膜形成的像素电极。

本发明的实施例另一方面提供了一种如上所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括：

步骤I，在基板上依次形成栅线和薄膜晶体管的栅极，栅绝缘层，数据线和薄膜晶体管的源极、漏极和沟道，以及钝化层；所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线连接、源极与所述数据线连接；

步骤II，在形成有钝化层的基板上形成石墨烯薄膜；

步骤III，图案化石墨烯薄膜形成像素电极，所述薄膜晶体管的漏极与所述像素电极连接。

本发明实施例提供的薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，由于所述像素电极为由石墨烯薄膜形成的像素电极，且制作石墨烯薄膜的原料为价格低廉的含碳材料，如石墨，以及甲烷、乙炔等气体，因此使得石墨烯薄膜的成本较低，此外石墨烯薄膜性能稳定，不会发生离子扩散，因此一般不会对环境、人体健康以及电子器件造成不良影响。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例薄膜晶体管阵列基板的平面结构示意图；

图1a为图1中A1-A1方向的截面图；

图2为薄膜晶体管阵列基板第一次构图工艺后的平面示意图；

图2a为图2中A2-A2方向的截面图；

图3为薄膜晶体管阵列基板第二次构图工艺后的平面示意图；

图3a为图3中A3-A3方向的截面图；

图4为薄膜晶体管阵列基板第三次构图工艺后的平面示意图；

图4a为图4中A4-A4方向的截面图；

图5为本发明实施例薄膜晶体管阵列基板制造方法的示意图；

图6为图5所示制造方法中步骤II的一种实现示意图；

图7为图5所示制造方法中步骤II的另一种实现示意图；

图8为图5所示制造方法中步骤III的一种实现示意图；

图9为图5所示制造方法中步骤III的另一种实现示意图。

附图标记：