[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造存储器件的方法，包括以下步骤：

在单元区和外围电路区中形成交替层叠有层间电介质层和栅电极层的栅结构；

通过选择性地刻蚀所述单元区的栅结构来形成第一沟槽，以沿着一个方向隔离所述栅电极层；以及

通过与所述外围电路区的接触形成区相对应地来选择性地刻蚀栅结构来形成第二沟槽。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述第二沟槽的水平宽度比要形成在所述外围电路区的所述接触形成区中的接触的水平宽度大。

3.如权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：

用绝缘层填充所述第二沟槽；以及

通过选择性地刻蚀所述外围电路区的所述接触形成区的所述第二沟槽中的所述绝缘层来形成接触孔。

4.如权利要求1所述的方法，其中，在同一步骤中形成所述第一沟槽和所述第二沟槽。

5.如权利要求1所述的方法，其中，形成在所述单元区中的栅结构和形成在所述外围电路区中的栅结构彼此隔离。

6.如权利要求1所述的方法，其中，形成在所述单元区中的栅结构包括第一栅电极层，所述第一栅电极层的端部比位于所述第一栅电极层之上的第二栅电极层的端部突出得更多。

7.如权利要求6所述的方法，包括以下步骤：

用绝缘层填充所述第二沟槽，作为用所述绝缘层覆盖所述单元区中的栅结构的处理的一部分；

通过选择性地刻蚀覆盖所述单元区中的栅结构的所述绝缘层来形成第一接触孔，每个所述第一接触孔暴露所述第一栅电极层和所述第二栅电极层中的每个的突出端部中的相对应的一个；以及

通过选择性地刻蚀所述外围电路区的所述接触形成区的所述第二沟槽中的所述绝缘层来形成第二接触孔。

8.一种制造非易失性存储器件的方法，包括以下步骤：

在单元区和外围电路区的衬底之上形成交替层叠有第一层间电介质层和第一栅电极层的单元栅结构；

通过选择性地刻蚀所述单元区的单元栅结构来形成第一沟槽，以沿着一个方向隔离所述第一栅电极层；

通过与所述外围电路区的接触形成区相对应地来选择性地刻蚀所述单元栅结构来形成第二沟槽；

在形成有所述第一沟槽和所述第二沟槽的衬底结构之上形成包括用于形成选择晶体管的第二层间电介质层和第二栅电极层的选择栅结构；以及

通过选择性地刻蚀所述选择栅结构来形成分别暴露所述第一沟槽和所述第二沟槽的第三沟槽和第四沟槽。

9.如权利要求8所述的方法，其中，所述第二沟槽和所述第四沟槽的水平宽度大于要形成在所述外围电路区的所述接触形成区中的接触的水平宽度。

10.如权利要求8所述的方法，还包括以下步骤：

通过形成覆盖所述单元栅结构和所述选择栅结构的绝缘层而用所述绝缘层填充所述第二沟槽和所述第四沟槽；以及

通过选择性地刻蚀所述外围电路区的所述接触形成区的所述第二沟槽和所述第四沟槽中的绝缘层来形成接触孔。

11.如权利要求8所述的方法，其中，所述单元区的单元栅结构和选择栅结构与所述外围电路区的单元栅结构和选择栅结构彼此隔离。

12.如权利要求8所述的方法，其中，所述单元区中的单元栅结构的所述第一栅电极层中的第一个的端部比位于所述第一栅电极层中的第一个之上的所述第一栅电极层中的第二个的端部突出得更多。

13.如权利要求12所述的方法，还包括以下步骤：

通过形成覆盖所述单元栅结构和所述选择栅结构的绝缘层而用所述绝缘层填充所述第二沟槽和所述第四沟槽；

通过选择性地刻蚀所述单元区的所述绝缘层来形成暴露所述第一栅电极层中的每个的突出端部的第一接触孔；以及

通过选择性地刻蚀所述外围电路区的所述接触形成区中的沟槽中的绝缘层来形成第二接触孔。

14.如权利要求8所述的方法，还包括以下步骤：

形成穿通所述单元区的单元栅结构且由所述第一沟槽彼此隔离的一对单元沟道孔；以及

形成穿通所述选择栅结构以暴露所述一对单元沟道孔且由所述第三沟槽彼此隔离的一对选择晶体管道沟道孔，

其中，所述单元区的衬底包括具有管道沟道孔的管道栅电极层，且所述一对单元沟道孔通过所述管道沟道孔而彼此耦接。