[发明专利]一种选择性淀积栅氧和栅电极的方法无效
| 申请号： | 201110285019.1 | 申请日： | 2011-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN102332395A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 孙清清;李叶;房润辰;王鹏飞;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 选择性 淀积栅氧 电极 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种选择性淀积栅氧和栅电极的方法，其特征在于具体步骤为：
提供一个半导体衬底并清洗；
进行场氧区隔离；
生长一层二氧化硅；
光刻、刻蚀定义出栅极位置；
对二氧化硅进行表面处理；
在二氧化硅上吸附一层十八烷基三乙氧基硅烷；
淀积高k栅介质；
淀积金属电极；
去除ODTS和二氧化硅。
2.根据权利要求1所述的选择性淀积栅氧和栅电极的方法，其特征在于，所述的二氧化硅的厚度为50-200纳米。
3.根据权利要求1所述的选择性淀积栅氧和栅电极的方法，其特征在于，所述的对二氧化硅进行表面处理的过程为：先用piranha solution在室温下处理15--25分钟，之后在浓度为2%的HF酸溶液中浸泡1-3分钟，最后用去离子水冲洗干净。
4.根据权利要求1所述的选择性淀积栅氧和栅电极的方法，其特征在于，所述的高k栅介质材料为Pr2O3、TiO2、HfO2、Al2O3或ZrO2，其厚度范围为2-20纳米。
5.根据权利要求1所述的选择性淀积栅氧和栅电极的方法，其特征在于，所述的金属电极由TiN、TaN、Ru或W金属栅材料形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
