[发明专利]一种晶硅太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201110282971.6 | 申请日： | 2011-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN103022163A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 郭冉;谭伟华;周勇 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种晶硅太阳能电池，其特征在于，所述晶硅太阳能电池从下至上依次包括背面电极、铝背场、P型硅衬底、N型硅层、Ti-Si金属间化合物层、减反射层和正面电极，所述P型硅衬底与N型硅层之间形成有P-N结，正面电极渗透过所述减反射层与Ti-Si金属间化合物层接触。
2.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池，其特征在于，所述Ti-Si金属间化合物层的图案在所述晶硅太阳能电池的法线方向与正面电极的图案重合。
3.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池，其特征在于，Ti-Si金属间化合物层的厚度为0.01-0.08μm。
4.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池，其特征在于，所述减反射层为氮化硅层，减反射层的厚度为70-90nm。
5.权利要求1所述的晶硅太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
A、对P型硅衬底表面进行制绒、扩散和去磷硅玻璃，在P型硅衬底表面形成N型硅层，P型硅衬底与N型硅层的交界面形成P-N结；
B、在N型硅层表面形成金属Ti层，然后进行热处理，在N型硅层表面形成Ti-Si金属间化合物层；
C、在Ti-Si金属间化合物层表面进行等离子增强型化学气相沉积，形成减反射层；
D、在减反射层表面印刷正面电极，在P型硅衬底表面印刷铝背场和背面电极，烧结后正面电极渗透过所述减反射层与Ti-Si金属间化合物层接触。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在N型硅层表面形成金属Ti层的方法为物理气相沉积、印刷、喷涂或喷墨打印。
7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，还包括：在N型硅层表面形成金属Ti层之前，在N型硅层表面采用光刻胶制备掩膜的步骤。
8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，热处理的温度为650-850℃，时间为3-12s。
9.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，正面电极的印刷区域与Ti-Si金属间化合物层的图案在所述正面电极的法线方向重合。
10.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，烧结的最高温度为700-780℃，最高温度下的烧结时间为3-8s。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
