[发明专利]集成电路及其制造方法

权利要求书

1.一种集成电路的制造方法，包括：

提供基底，其中该基底具有微机电系统区，且该微机电系统区上形成有第一内连线结构以及硬掩模层，该硬掩模层位于该第一内连线结构上；

以该硬掩模层为掩模，进行各向异性蚀刻工艺，以移除该硬掩模层所暴露出的部分该第一内连线结构，而形成微机电结构，且该微机电结构暴露出该微机电系统区的部分该基底；以及

进行各向同性蚀刻工艺，以移除该微机电系统区的部分该基底，而在该微机电结构下方形成腔体，其中该腔体包括环状凹陷区以及中央区，该环状凹陷区环绕该中央区，而该微机电结构悬于该腔体上方。

2.如权利要求1所述的集成电路的制造方法，其中该各向异性蚀刻工艺包括反应式离子蚀刻工艺。

3.如权利要求2所述的集成电路的制造方法，其中在该各向异性蚀刻工艺中，包括使用四氟甲烷及八氟环丁烷作为蚀刻气体。

4.如权利要求3所述的集成电路的制造方法，其中在该各向异性蚀刻工艺中，四氟甲烷与八氟环丁烷的流量比值为4。

5.如权利要求2所述的集成电路的制造方法，其中在该各向异性蚀刻工艺中，包括使用三氟甲烷或乙氟烷作为蚀刻气体。

6.如权利要求1所述的集成电路的制造方法，其中该各向异性蚀刻工艺的工艺温度大于摄氏60度。

7.如权利要求1所述的集成电路的制造方法，其中该各向异性蚀刻工艺的工艺压力介于50毫托至500毫托之间。

8.如权利要求1所述的集成电路的制造方法，其中该各向异性蚀刻工艺的工艺功率介于300瓦至3000瓦。

9.如权利要求1所述的集成电路的制造方法，其中在该各向同性蚀刻工艺中，包括使用含氟气体作为蚀刻气体。

10.如权利要求9所述的集成电路的制造方法，其中该含氟气体包括六氟化硫、三氟化氮或四氟化甲烷。

11.如权利要求9所述的集成电路的制造方法，其中在该各向同性蚀刻工艺中，还包括使用氦气或氮气作为稀释气体。

12.如权利要求1所述的集成电路的制造方法，其中该各向同性蚀刻工艺的工艺温度介于摄氏-15度至5度之间。

13.如权利要求1所述的集成电路的制造方法，其中该第一内连线结构包括依序交替堆叠的多层第一介电层以及多个第一导电图案，且该硬掩模层对应至该多个第一导电图案而暴露出最上层的该第一介电层的一部分，而该各向异性蚀刻工艺用以移除该多个第一介电层的一部分。

14.如权利要求1所述的集成电路的制造方法，其中在移除该硬掩模层所暴露出的部分该第一内连线结构之后，还包括移除该硬掩模层。

15.如权利要求1所述的集成电路的制造方法，还包括在该各向异性蚀刻工艺中移除该硬掩模层。

16.如权利要求1所述的集成电路的制造方法，其中该基底还具有逻辑电路区，且该逻辑电路区上已形成有第二内连线结构，该第二内连线结构包括依序交替堆叠的多层第二介电层与多个第二导电图案以及至少一连接垫，其中该连接垫配置于该多个第二导电图案上方，且最上层的该第二介电层具有暴露出该连接垫的至少一开口，而在进行该各向异性蚀刻工艺前，还包括在该第二内连线结构上形成图案化光致抗蚀剂层，并且在进行该各向异性蚀刻工艺之后，移除该图案化光致抗蚀剂层。

17.一种集成电路，包括：

基底，具有微机电系统区，且该微机电系统区内具有腔体，其中该腔体包括环状凹陷区以及中央区，该环状凹陷区环绕该中央区；以及

微机电结构，部分地悬于该腔体上方。

18.如权利要求17所述的集成电路，其中该环状凹陷区的深度与该中央区的深度比值介于1.5至3.5。

19.如权利要求17所述的集成电路，还包括第二内连线结构，且该基底还具有逻辑电路区，而该第二内连线结构是配置于该逻辑电路区上，并包括依序交替堆叠的多层第二介电层与多个第二导电图案以及至少一连接垫，其中该连接垫配置于该多个第二导电图案上方，且最上层的该第二介电层具有暴露出该连接垫的至少一开口。