[发明专利]适于应用于集成电路的电容结构

权利要求书

1.一种电容结构，适于应用于集成电路，该电容结构包括：

金属氧化物半导体电容，具有第一端点与第二端点；以及

两相异结构的金属电容，形成在该金属氧化物半导体电容上，且各耦接于该第一端点与该第二端点之间。

2.如权利要求1所述的电容结构，其中该两相异结构的金属电容包括第一金属电容与第二金属电容，且该第一金属电容为多层平板金属电容，而该第二金属电容为多层叉合金属电容。

3.如权利要求2所述的电容结构，其中该金属氧化物半导体电容以金属氧化物半导体晶体管来实施。

4.如权利要求3所述的电容结构，其中该金属氧化物半导体晶体管为P型金属氧化物半导体晶体管，且该P型金属氧化物半导体晶体管包括：

N型阱；

第一P型掺杂区，配置在该N型阱内，并耦接该第一端点，以作为该P型金属氧化物半导体晶体管的漏极；

第二P型掺杂区，配置在该N型阱内，并耦接该第一端点，以作为该P型金属氧化物半导体晶体管的源极；

至少一N型掺杂区，配置在该N型阱内，并耦接该第一端点，以作为该P型金属氧化物半导体晶体管的基极；

多晶硅层，配置在该N型阱上，并耦接该第二端点，以作为该P型金属氧化物半导体晶体管的栅极；以及

第一绝缘层，配置于该N型阱与该多晶硅层之间。

5.如权利要求4所述的电容结构，其中该多层平板金属电容至少包括：

第一层平板金属电极，配置于该多晶硅层上，并耦接该第一端点；

第二层平板金属电极，配置于该第一层平板金属电极上，并耦接该第二端点；以及

第二绝缘层，配置于该第一层平板金属电极与该第二层平板金属电极之间。

6.如权利要求5所述的电容结构，其中该多层叉合金属电容至少包括：

第一层叉合金属电极，配置于该多晶硅层上，并耦接该第一端点；

第二层叉合金属电极，配置于该第一层叉合金属电极上，并耦接该第二端点；以及

第三绝缘层，配置于该第一层叉合金属电极与该第二层叉合金属电极之间。

7.如权利要求6所述的电容结构，其中该第一端点用以耦接至第一电压，而该第二端点用以耦接至第二电压，其中该第一电压高于该第二电压。

8.如权利要求3所述的电容结构，其中该金属氧化物半导体晶体管为N型金属氧化物半导体晶体管，且该N型金属氧化物半导体晶体管包括：

P型基板；

第一N型掺杂区，配置于该P型基板内，并耦接该第二端点，以作为该N型金属氧化物半导体晶体管的漏极；

第二N型掺杂区，配置于该P型基板内，并耦接该第二端点，以作为该N型金属氧化物半导体晶体管的源极；

至少一P型掺杂区，配置于该P型基板内，并耦接该第二端点，以作为该N型金属氧化物半导体晶体管的基极；

多晶硅层，配置于该P型基板上，并耦接该第一端点，以作为该N型金属氧化物半导体晶体管的栅极；以及

第一绝缘层，配置于该P型基板与该多晶硅层之间。

9.如权利要求8所述的电容结构，其中该多层平板金属电容至少包括：

第一层平板金属电极，配置于该多晶硅层上，并耦接该第二端点；

第二层平板金属电极，配置于该第一层平板金属电极上，并耦接该第一端点；以及

第二绝缘层，配置于该第一层平板金属电极与该第二层平板金属电极之间。

10.如权利要求9所述的电容结构，其中该多层叉合金属电容至少包括：

第一层叉合金属电极，配置于该多晶硅层上，并耦接该第二端点；

第二层叉合金属电极，配置于该第一层叉合金属电极上，并耦接该第一端点；以及

第三绝缘层，配置于该第一层叉合金属电极与该第二层叉合金属电极之间。

11.如权利要求10所述的电容结构，其中该第一端点用以耦接至第一电压，而该第二端点用以耦接至第二电压，其中该第一电压高于该第二电压。