[发明专利]一种大容量多值阻变存储器无效
| 申请号： | 201110274869.1 | 申请日： | 2011-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN102306705A | 公开（公告）日： | 2012-01-04 |
| 发明（设计）人： | 黄如;杨庚雨;谭胜虎;唐昱;张丽杰;潘越;蔡一茂;黄英龙 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 容量 多值阻变 存储器 | ||
【权利要求书】：
1.一种大容量多值阻变存储器，包括上电极和下电极，其特征在于，在上、下电极之间插入多个阻变材料层和缺陷层组合，其中，与上、下电极相接触的是阻变材料层，在阻变材料层之间是缺陷层。
2.如权利要求1所述的大容量多值阻变存储器，其特征在于，上电极和下电极为W、Al、Pt或TiN金属薄膜，厚度在150nm至500nm之间。
3.如权利要求1所述的大容量多值阻变存储器，其特征在于，阻变材料层为Ta2O5、TiO2或HfO2薄膜，厚度在10nm至80nm之间。
4.如权利要求1所述的大容量多值阻变存储器，其特征在于，缺陷层为Ti、Au或Ag金属薄膜，厚度在2nm至50nm之间。
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