[发明专利]定义深沟槽用的硬掩模层的图案化方法

权利要求书

1.一种定义深沟槽用的硬掩模层的图案化方法，包括：

提供基底，该基底上已形成有隔离结构；

于所提供的该基底上形成硬掩模层；

于该硬掩模层上形成图案化光致抗蚀剂层，该图案化光致抗蚀剂层中有深沟槽开口图案位于该隔离结构上方；以及

以该图案化光致抗蚀剂层为掩模，使用不含氢元素的蚀刻气体蚀刻该硬掩模层，以将该深沟槽开口图案转移至该硬掩模层。

2.如权利要求1所述的定义深沟槽用的硬掩模层的图案化方法，其中该硬掩模层的材料包括硅化合物。

3.如权利要求2所述的定义深沟槽用的硬掩模层的图案化方法，其中该蚀刻气体包括全氟碳化物。

4.如权利要求3所述的定义深沟槽用的硬掩模层的图案化方法，其中该全氟碳化物选自由四氟化碳、全氟丁烯及全氟戊炔所组成的族群。

5.如权利要求3所述的定义深沟槽用的硬掩模层的图案化方法，其中该蚀刻气体还包括氩气及氧气。

6.如权利要求2所述的定义深沟槽用的硬掩模层的图案化方法，其中该硅化合物包括氮化硅。

7.如权利要求2所述的定义深沟槽用的硬掩模层的图案化方法，其中该硬掩模层包括第一氮化硅层、该第一氮化硅层上的氧化硅缓冲层，以及该氧化硅缓冲层上的第二氮化硅层。