[发明专利]一种多尼培南水合物晶体及其制备方法有效
申请号: | 201110266374.4 | 申请日: | 2011-09-08 |
公开(公告)号: | CN102285988A | 公开(公告)日: | 2011-12-21 |
发明(设计)人: | 安晓霞;吕锋;胡猛;周吴;王光华 | 申请(专利权)人: | 上海希迈医药科技有限公司;江苏迪赛诺制药有限公司 |
主分类号: | C07D477/20 | 分类号: | C07D477/20;C07D477/02 |
代理公司: | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人: | 何葆芳 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多尼培南 水合物 晶体 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明是涉及一种多尼培南水合物晶体及其制备方法,属于有机化学技术领域。
背景技术
多尼培南(Doripenem)是日本盐野义制药公司开发的新型β-甲基碳青霉烯抗生素,于2005年9月16日在日本上市,商品名为Finibax。多尼培南于2007年10月15日被美国FDA批准,用于临床治疗复杂性腹内感染与复杂性尿路感染。通过抑制细胞壁合成,显示出广谱、高效的抗菌活性,特别对铜绿假单胞菌的活性强于现有碳青霉烯抗生素。其化学结构式如下:
中国专利(专利号为ZL92111069.3及ZL95104834.1)公开了无定型多尼培南的制备方法,众所周知,无定型物质通常较晶型物质稳定性差,不易保存,为了克服这些缺陷,日本盐野义制药公司相继公开了四种多尼培南结晶(晶型I、晶型II、晶型III及晶型IV)及其制备方法,所述的四种晶体化合物的具体信息见表1所示。
表1
上述四种晶型中,I、II、III三种晶型的稳定性不好,只有晶型IV是其中稳定性最好的晶型,但是,晶型IV并不能直接获得,必须先得到晶型III后,再通过减压干燥获得,无疑存在制备工艺复杂、制备成本高等缺陷。
中国专利(专利号为ZL200610028746.9)又相继公开了二种多尼培南结晶(晶型V及晶型VI)及其制备方法,所述的二种晶体化合物的具体信息见表2所示。
表2
中国专利(专利号为ZL200710127224.9)公开了另一种多尼培南晶型V,含2分子结晶水,所述的晶体化合物的具体信息见表3所示。
表3
尽管已有上述多种晶型的报道,但仍有必要研究方便易得、热力学稳定性好、可顺利工业化生产的多尼培南新晶型,以保证原料药及其制剂在制备和储存中的稳定性,以提高多尼培南的药物质量和临床疗效。
发明内容
本发明的目的是提供一种纯度高、残留溶剂低、稳定性好的多尼培南水合物晶体及提供一种工艺简单、制备成本低廉、适合工业化生产的该晶体的制备方法。
为实现上述发明目的,本发明采用的技术方案如下:
本发明所述的多尼培南水合物晶体,其粉末X射线衍射谱图如图1所示,且晶体中的水分测定值为4.4~5.5%。
进一步说,本发明所述的多尼培南水合物晶体,还具有图2所示的DSC谱图、图3所示的TG谱图及图4所示的IR谱图。
更进一步说,本发明所述的多尼培南水合物晶体,在粉末X射线衍射下,在2θ为6.43°±0.2°,13.02°±0.2°,14.96°±0.2°,15.27°±0.2°,15.85°±0.2°,16.60°±0.2°,17.46°±0.2°,20.60°±0.2°,21.04°±0.2°,22.18°±0.2°,23.88°±0.2°,25.35°±0.2°,26.04°±0.2°,28.19°±0.2°,29.00°±0.2°,31.65°±0.2°,34.09°±0.2°,34.90°±0.2°处有主峰,在2θ为10.86°±0.2°,11.22°±0.2°,18.05°±0.2°,18.43°±0.2°,18.92°±0.2°,19.62°±0.2°,23.10°±0.2°,23.40°±0.2°,33.34°±0.2°,36.44°±0.2°,37.21°±0.2°,38.04°±0.2°,39.77°±0.2°,41.22°±0.2°,45.22°±0.2°处有次要峰。
进一步说,本发明所述的多尼培南水合物晶体中的异丙醇残余量≤500ppm。
更进一步说,本发明所述的多尼培南水合物晶体中的异丙醇残余量≤300ppm。
一种本发明所述的多尼培南水合物晶体的制备方法,包括如下步骤:
a)将多尼培南粗品溶于40~70℃(优选为50~60℃)的水中;
b)冷却至0~25℃(优选为10~25℃),加入活性炭,搅拌脱色5~15分钟;
c)过滤,将滤液降温到0~10℃,有固体析出,保温搅拌1~2小时;
d)过滤,用异丙醇/水=4∶1洗涤滤饼;
e)在40~60℃,5~10mmHg下干燥至晶体中的水分测定值为4.4~5.5%(优选为4.7~5.2%),即得所述的多尼培南水合物晶体。
进一步,本发明所述的多尼培南水合物晶体的制备方法,包括如下步骤:
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