[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造包括具有单元区和外围电路区的衬底的非易失性存储器件的方法，所述方法包括以下步骤：

形成层叠在所述衬底的所述单元区之上的多个存储器单元；以及

在所述衬底的所述存储器单元之上以及所述外围电路区之上形成第一导电层，

其中，形成在所述存储器单元之上的所述第一导电层能够用于形成选择晶体管的栅电极，并且

形成在所述衬底的所述外围电路区之上的所述第一导电层起到作为一个或更多个外围电路器件中的至少一个外围电路器件的电阻体的作用。

2.如权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：

在形成所述第一导电层之前，在所述衬底的所述外围电路区之上形成一个或更多个外围电路器件，

其中，在所述外围电路器件之上形成所述外围电路区的所述第一导电层。

3.如权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：

在形成所述第一导电层之后，在所述外围电路区的所述第一导电层之上形成一个或更多个外围电路器件。

4.如权利要求2所述的方法，还包括以下步骤：

在形成所述外围电路器件之后，形成将所述第一导电层与一个或更多个外围电路器件电连接的接触。

5.如权利要求3所述的方法，还包括以下步骤：

在形成所述第一导电层之后，在所述第一导电层之上形成将所述第一导电层与一个或更多个外围电路器件电连接的接触。

6.如权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：

在形成所述第一导电层之后，通过将形成在所述存储器单元之上的所述第一导电层图案化、并且在同一步骤中将所述外围电路区的所述第一导电层图案化，来形成所述选择晶体管的栅电极。

7.如权利要求1所述的方法，其中，形成多个存储器单元的步骤包括以下步骤：

交替地层叠层间电介质层和第二导电层，以在所述衬底的所述单元区之上形成所述存储器单元的栅电极；

通过将交替层叠的所述层间电介质层和所述第二导电层图案化来形成沟槽；

在所述沟槽的内壁上形成存储器栅绝缘层；以及

在所述沟槽中形成沟道层。

8.如权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：

在形成所述第一导电层之前，在所述存储器单元之上并在所述第一导电层之下形成第一层间电介质层；以及

在形成所述第一导电层之后，在所述单元区的所述第一导电层之上形成第二层间电介质层。

9.如权利要求8所述的方法，还包括以下步骤：

在形成所述第二层间电介质层之后，通过将形成在所述存储器单元之上的所述第一层间电介质层、所述第一导电层和所述第二层间电介质层图案化并且在同一步骤中将所述外围电路区的所述第一导电层图案化，来形成被配置为暴露所述存储器单元的沟道的沟槽。

10.如权利要求9所述的方法，还包括以下步骤：

在所述沟槽的内壁上形成栅绝缘层；以及

在所述沟槽中形成沟道层。

11.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一导电层包括掺杂的多晶硅。

12.如权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：

在形成所述第一导电层之后，经由离子注入工艺对包括未掺杂的多晶硅的所述第一导电层进行掺杂。

13.一种包括具有单元区和外围电路区的衬底的非易失性存储器件，包括：

多个存储器单元，所述多个存储器单元层叠在所述衬底的所述单元区之上；

选择晶体管的栅电极，所述选择晶体管的栅电极形成在所述存储器单元之上；以及

导电层图案，所述导电层图案形成在所述衬底的所述外围电路区之上，

其中，所述选择晶体管的栅电极和所述导电层图案具有相同的材料，并且

所述导电层图案能够起到作为一个或更多个外围电路器件中的至少一个外围电路器件的电阻体的作用。

14.如权利要求13所述的存储器件，还包括：

一个或更多个外围电路器件，所述一个或更多个外围电路器件形成在所述导电层图案之下并在所述衬底的所述外围电路区之上。