[发明专利]通过随机存取存储器芯片地址引脚检测缺陷的测试方法有效

专利信息
申请号: 201110264782.6 申请日: 2011-09-08
公开(公告)号: CN103000226A 公开(公告)日: 2013-03-27
发明(设计)人: 叶均 申请(专利权)人: 施耐德电器工业公司
主分类号: G11C29/04 分类号: G11C29/04
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 钱大勇
地址: 法国吕埃*** 国省代码: 法国;FR
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摘要:
搜索关键词: 通过 随机存取存储器 芯片 地址 引脚 检测 缺陷 测试 方法
【权利要求书】:

1.一种通过随机存取存储器RAM芯片地址引脚检测缺陷的测试方法,其特征在于包括:

向数量等于RAM芯片地址总线位数增加一、地址为全零以及地址为各条地址总线依次唯一地为1且其余地址总线为0的、特定的RAM存储单元写入相应的彼此不同的数据;

读出所述特定的RAM存储单元中的对应数据,形成结果数组;

确定结果数组中是否存在相同的元素;以及

如果结果数组中存在相同的元素,则判断RAM芯片引脚存在布线缺陷;如果结果数组中不存在相同的元素,则判断RAM芯片地址引脚不存在布线缺陷。

2.如权利要求1所述的测试方法,其中所述RAM芯片地址引脚缺陷包括RAM芯片的地址引脚之间的短路或者RAM芯片地址引脚的断路。

3.如权利要求1所述的测试方法,其中在向特定的RAM存储单元写入相应的彼此不同的数据之前,还包括:

将所述特定的RAM存储单元中的数据缓存在临时存储器中。

4.如权利要求1所述的测试方法,其中在形成结果数组之后,还包括:

将缓存在临时存储器中的数据写回到所述特定的RAM存储单元中。

5.如权利要求1所述的测试方法,其中在判断RAM芯片地址引脚中不存在缺陷之后,还包括对RAM芯片的全部存储单元的数据存取功能进行测试。

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