[发明专利]半导体晶片保护用粘合片

说明书

技术领域

本发明涉及在将半导体晶片研磨至极薄后、或者在进行大口径晶片的研磨后半导体晶片的翘曲少的半导体晶片保护用粘合片。

背景技术

近年来，由于各种电子设备的小型化、IC卡的普及，希望半导体晶片等电子部件进一步薄型化。因此，产生了将目前厚度为350μm左右的半导体晶片薄化至厚度约30μm以下的需要。另外，为了提高生产率而对晶片的进一步大口径化进行了研究。

通常，在半导体晶片的制造中，在晶片的表面形成电路图案之后用研磨机等对晶片的背面进行研磨直至达到规定厚度。此时，为了保护晶片的表面，通常在将粘合片贴合在晶片表面之后进行背面研磨。另外，将晶片加工成薄型之后，有时以晶片表面贴合有粘合片的状态输送至下一工序。

然而，在用粘合片保护晶片表面的状态下进行背面研磨至极薄时，研磨后的晶片容易产生翘曲。产生了翘曲的晶片具有在输送中、粘合片的剥离中会破裂的问题。可认为，如果由于对贴合有粘合片的晶片的背面进行研磨而使得粘合片的残余应力大于晶片的强度，则会由要抵消残余应力的力使晶片产生翘曲。

可认为该研磨后的晶片的翘曲受残留在粘合片中的残余应力的影响大。可认为，对于由基材和粘合剂构成的粘合片，该残余应力主要产生在将粘合剂涂覆于基材或者将基材与粘合剂层贴合的制造工序中以及将粘合片贴附于晶片时的工序中，如果将贴合有存在残余应力的粘合片的晶片研磨至极薄，则粘合片的残余应力会大于晶片的强度，会由要抵消该残余应力的力使晶片产生翘曲。另外，因此，为了减小该残余应力提出了对粘合片的构成进行各种改良以使得残余应力不会产生的技术方案。例如，专利文献1中提出了一种由基材薄膜和粘合剂层构成的半导体晶片保护用粘合片，其基材薄膜的拉伸模量为0.6GPa。

另外，专利文献2中提出了一种由基材和在其上形成的粘合剂层构成的半导体晶片加工周粘合片，其在粘合片的拉伸试验中在伸长率10％下的1分钟后的应力松弛率为40％以上。

通常，贴合在半导体晶片表面的粘合片由基材层和粘合剂层的构成来形成。这种粘合片在制造工序中通过在基材上直接涂覆粘合剂并贴合隔离膜来制造，或者通过在隔离膜上涂覆粘合剂并与基材贴合来制造，此时需要以使基材和隔离膜不松弛的程度的张力拉紧，因此在贴合时必然会产生应力。

基材是为了使粘合片支撑半导体晶片以提高操作性、并为了提高该支撑性而使用的。

另外，在贴合于晶片的表面时使用贴合机，以使晶片的表面朝上的方式将晶片载置在贴合台上，在粘合剂层朝下的状态下一边拉伸以使沿贴合方向不松弛一边将粘合片供给至晶片上。如此使粘合片的粘合剂层与晶片的表面相对，通过压辊等挤压手段从粘合片的基材侧起沿贴合方向逐步压合来贴合。

此时，粘合片也受到沿贴合粘合片的方向拉伸的力以及将粘合片压合在晶片上的力，因此将粘合片贴合于晶片时，这些力会成为残余应力而残留在粘合片中。

事实上，关于如上述专利文献中记载的这些粘合片的各种特性，在将半导体晶片研磨至极薄时、或者在进行大口径晶片的研磨时，作为抑制研磨后的晶片的翘曲的粘合片并不一定是最合适的，因此，希望提供能够更进一步抑制研磨后的晶片翘曲的半导体晶片保护用粘合片。

另外，随着近年来晶片研磨厚度的极薄化，还希望不存在由研磨时的应力产生的晶片破裂、晶片边缘部的缺损；在研磨后必须将粘合片从晶片上剥离，还希望此时在晶片表面的电路图案上不会残留粘合剂、并且在晶片表面不存在来源于粘合片、半导体晶片等的分子水平的污染。

进而，在为了切割时的晶片固定而使用由包括基材的两层以上构成的粘合片时，由于这些层具有互不相同的弹性模量，因此与刀相关的力等在其界面发生变化，使得粘合剂层的微小的块附着于刀、粘合片，产生所谓的结块。而且，附着有该结块的刀、粘合片在接下来的工序中有时还会附着于晶片、粘合片而使它们的切断变困难，成为晶片破裂的原因。

此外，还存在由粘合片导致的半导体晶片等的翘曲产生、在利用水等进行清洗时水等侵入半导体晶片与粘合片之间的情况。因此，需要使粘合片表现出应力松弛性，并且使粘合片的粘合剂层能够充分追随设置在晶片表面的凹凸，即使在切断时受到剪切力，粘合片也不会发生浮起。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2000-212524号公报

专利文献2：日本特开2000-150432号公报

发明内容